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脉冲功率系统的开关 脉冲功率开关的种类 几种常见开关的简单介绍 气体火花开关 伪火花隙开关 激光触发多通道开关 半导体开关 气体火花开关 是指间隙气压在100kPa或以上的开关（即在常压下或超过常压）。火花开关具有工作电压高、通流能力强、传递电荷量大的优点，但是工作重复频率较低。火花开关击穿的机理是流注理论。 气体火花开关有： 两电极开关 　三电极开关 气体火花开关的工作原理 三电极触发气体火花开关 电场畸变型气体火花开关 触发真空开关--TVS （触发真空间隙--TVG） 真空开关的触发方式 触发方式主要可分为三种：（1）等离子体触发，（2）电子束触发，（3）激光束触发。 赝火花开关（Pseudo-spark Switch,PSS） 赝火花开关是一种低气压（气压1-80Pa）的气体放电开关，工作在巴申曲线极小值的左边，此时电子的平均自由程可与电极间隙距离相比或更长。其结构图如图1.10。 赝火花开关的触发方式有如下几种 大功率超高速半导体开关RSD(Reversely Switch-on Dynistor) 重复频率气体火花开关的绝缘恢复特性 运用吹气技术的高重复频率气体火花开关 采用均匀电场、吹气技术和提高工作气压等方法来达到目的，普遍认为重复频率气体火花开关必须满足以下要求： 极间电场应尽可能大面积均匀分布； 电极间气体流动不存在“死区”； 气体流向要有利于带电粒子尽快恢复； 选择使开关工作稳定、寿命长的电极材料； 选择介电强度恢复速度快且无污染和危险的气体介质。 开关设计的注意事项 电场类型 电极材料 气体种类 气体压强 绝缘长度 三电极开关的典型波形 脉冲大电流开关技术涉及到的研究内容 描述开关特性的主要参数 未触发前主电极的电场分布较均匀，当触发脉冲加到电极3上后，电极3边缘的电场急剧增大，使电场畸变，同时产生场致发射，因而引起电场畸变较大的一侧先击穿。 然后由于放电通道的连接作用，触发电极电位变成与击穿侧电极同电位，另一侧间隙因受到第一级击穿照射和过电压的作用而迅速击穿。 场畸变开关的特点是触发特性良好，结构设计也不复杂，但是，由于有一个中间电极，存在着分压问题和对与中间电极的相连的触发系统的高压倒灌问题，到目前为止，场畸变型开关的工作电压不是太高。 触发真空开关工作气压在10-4Pa以下，目前对于真空击穿的机理还没有统一的认识。 一般认为触发真空开关的工作过程包括触发阶段和主间隙导通阶段这两个主要阶段。 细分又包括：触发、导通、熄灭、恢复四过程。现以如图1.2所示的三电极系统为例来说明其工作原理。 阳极 阴极 触发极 图1.2 平板型三电极真空开关 阳极 阴极 触发极 图1.3等离子体沿面放电触发原理图 图1.4 激光触发间隙 1——平板触发电极 ;2——空心触发电极 ;3——开关空心阴极背面 ;4——电荷注入 图1.11　电荷注入触发的原理图 电荷注入式，如图1.11所示，在空心阴极背面之外有一平板触发电极和一空心预电离电极，在预电离电极上加有数百伏直流负电压产生预电离（0.1-1mA)。当平板电极上突然施加2-5kV负极性触发脉冲时，预电离产生的电子得到加速而进入赝火花放电室。这种触发方式的优点是触发单元不影响主放电，也不易被开关中通过的大电流所损伤，因此开关的寿命可达亿次，重复频率可较高。 1——充气口 ;2——抽真空 ;3——开关空心电极 ; 4——网状电极 ;5——触发电极 ;6——电介质 图1.12　用电晕电极触发的原理图 　　　RSD(Reversely Switch-on Dynistor)是由俄罗斯I.V.Grekhov等人提出的一种新型高功率半导体闭合开关。它通过在发射结平面形成的均匀电子－空穴等离子体层代替门极来解决晶闸管的触发问题。 　　半导体器件的开关特性，主要受以正常温度下电荷载流子的迁移率和密度的限制。 　　传导较强的电流需要较大的导电区域。 　　由于受载流子漂移距离的限制，不能像气体开关那样调整电极间距，所以提高开关功率只能增加载流通道的面积。 晶闸管 可控硅是一种pnpn层序的四层结构电力电子器件。有三个pn结，也可以看作是一对共用集电结的npn和pnp晶体管。每个晶体管的基极都有一个来自另一个晶体管集电极的驱动电流。 三种工作模式： 反向截止 正向截止 导通状态 没有外界作用，晶闸管不会从导电状态恢复到阻止状态。 如果要重新恢复晶闸管的阻止能力，必须降低电荷密度，使其低于临界值。 图1.6 晶闸管的导通扩展过程 重复频率脉冲功率技术是当前脉冲功率技术发展的重要方向。重复频率脉冲功率技术的关