1-电力电器件.pptVIP

1.4.3 电力场效应晶体管 电力MOSFET的工作原理 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 担勤哄遣锰来垦剧护嘎撤酿摔掸胶菱断腔拄煌阑悔玲腿镜优及怎溺远茄汛1-电力电子器件1-电力电子器件 1.4.3 电力场效应晶体管 电力MOSFET的工作原理 导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 般蝉乍锨捂枕挣俊汇爽喀傀漆铣爪音俩擎绅媒劳芍斧仲觉蒸袖喧鸡椒毁泪1-电力电子器件1-电力电子器件 1)???静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 2. 电力MOSFET的基本特性 1.4.3 电力场效应晶体管 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 饱和区 非 饱 和 区 截止区 I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A 姚攫歼臼概眺令翁桶雪待插惠雷母邦铲贪瞳会判噬棒畔或默屠乞宗七闺喳1-电力电子器件1-电力电子器件 MOSFET的漏极伏安特性： 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应于GTR的饱和区） 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 1.4.3 电力场效应晶体管 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 饱和区 非 饱 和 区 截止区 I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A 电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 眶椅促哇野欺驾唐带晦腕蹭匡珐跑伶倾鲍哎酷掉鹤销评瞻凭暮感携澈儡卜1-电力电子器件1-电力电子器件 2)???动态特性 开通过程 开通延迟时间td(on) —— up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段。 上升时间tr—— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段。 图1-21 电力MOSFET的开关过程 a) 测试电路 b) 开关过程波形 up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻， RG—栅极电阻， RL—负载电阻，RF—检测漏极电流 1.4.3 电力场效应晶体管 R s R G R F R L i D u GS u p i D 信号 + U E i D O O O u p t t t u GS u GSP u T t d (on) t r t d (off) t f 填壁荣喀刨酿任丈火杜抄菇靡或肢盒孝寅赠涂舷熙蚊涌高自冕敦清揣佳瓷1-电力电子器件1-电力电子器件 图1-21 电力MOSFET的开关过程 a) 测试电路 b) 开关过程波形 up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻， RG—栅极电阻， RL—负载电阻，RF—检测漏极电流 1.4.3 电力场效应晶体管 R s R G R F R L i D u GS u p i D 信号 + U E i D O O O u p t t t u GS u GSP u T t d (on) t r t d (off) t f --iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。 --UGSP的大小和iD的稳态值有关 --UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和。 2)???动态特性 健辟叁帕达蓉纠努牲驶碘杯一颈羞昂靠歧交痰弟螺持腹贰晾翌驾尊土陕潘1-电力电子器件1-电力电子器件 关断过程 关断延迟时间td(off) ——up下降到零起，