3电介质B.pptVIP

* 有电介质时的高斯定理 从特例推导出来的，是普遍适用的定理。 D的单位：C/m2 D没有明确的物理含意。如果仿照电场线，作电位移线；那么，通过电介质中任一闭合曲面的电位移通量等于该面所包围的自由电荷量的代数和。 电位移线是从正的自由电荷出发，终止于负的自由电荷。 电场线从正电荷出发，终止于负电荷（包含自由电荷、极化电荷）。 D、E、P三矢量的关系 引进D矢量的优点： 无须考虑极化电荷的分布，就能算出D；再利用D、E、P之间的关系，算出电介质中的场强E。 必须注意：虽然通过闭合曲面的电位移通量只与自由电荷有关，但电位移矢量与自由电荷、极化电荷都有关。（这一点从定义式中可以看出来） 对各向同性的电介质： 例：一半经为R的金属球，带有电荷q0，浸埋在均匀“无限大”电介质中（电容率为 ），求球外任一点P的场强及极化电荷的分布。 解：金属球是一个等势体，而介质又以球心为中心对称分布，此时的电场分布仍具有球对称性，所以用有电介质时的高斯定理来求P点的场强是很方便的。 如图，过P点作一半经为r、与球同心的闭合球面S， 由高斯定理知： 电极化强度P与r有关，是非均匀极化。在电介质内部，极化电荷体密度等于0，极化面电荷分布在与金属交界处的电介质表面上（另一电介质表面在无限远处），其电荷面密度为： 例：平行板电容器两极板面积是S，如图，两极板之间充满两层电介质，电容率分别为 和 ，