第二章-超净间及硅片清洁试卷资料.pptVIP

吸杂过程 * 吸杂三步骤： 杂质元素从原有陷阱中被释放，成为可动原子 杂质元素扩散到吸杂中心 杂质元素被吸杂中心俘获 金属吸杂 * Aus＋I ? AuI 踢出机制 Aus ? AuI＋ V 分离机制 引入大量的硅间隙原子，可以使金Au和铂Pt等替位杂质转变为间隙杂质，扩散速度可以大大提高。 方法 高浓度磷扩散 离子注入损伤 SiO2的凝结析出 激活 ? 可动，增加扩散速度。替位原子 ? 间隙原子 碱金属离子的吸杂 * 碱金属离子的吸杂： PSG (Phosphosilicate glass)：可以束缚碱金属离子成为稳定的化合物, 超过室温的条件下碱金属离子即可扩散进入PSG; 超净工艺＋Si3N4钝化保护：抵挡碱金属离子的进入 其他金属离子的吸杂： 本征吸杂：使硅表面10-20mm范围内氧原子扩散到体硅内，而硅表面的氧原子浓度降低至10ppm以下。利用体硅中的SiO2的凝结成为吸杂中心。 非本征吸杂：利用在硅片背面形成损伤或生长一层多晶硅，制造缺陷成为吸杂中心。在器件制作过程中的一些高温处理步骤，吸杂自动完成。 吸杂效果 * 本节课主要内容 * 净化的三个层次：环境、硅片清洗、吸杂 净化的必要性 器件：少子寿命?，VT改变，Ion? Ioff?，栅击穿电压?，可靠性? 电路：产率?，电路性能? 杂质种类：颗粒、有机金属、自 然氧化层