硅工艺第1 概论习题参考答案.pptVIP

第一章 概论习题参考答案 列举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅有多纯？ 答：步骤如下 1）用碳加热硅石制备冶金级硅 SiO2 (s) + 2C (s) = Si (s) + 2CO (g)（吸热） 2）通过化学反应将冶金级硅生成三氯硅烷 Si (s) + 3HCl (g) = SiHCl3 (g) + H2 (g)（放热） 3）通过化学反应用氢气将三氯硅烷还原达到提纯的目的 SiHCl3 (g) + H2 (g) = Si (s) + 3HCl (g) （吸热） 半导体级硅纯度为 99. 9999999 % ，也就是平均十亿个硅原子中才有一个杂质原子。 2、列举七个衡量硅片质量的标准？ 物理尺寸：直径、厚度、晶向位置、定位边、硅片形变 平整度：通过硅片的上表面和一个规定参考面的距离得到 微粗糙度：硅片表面最高点和最低点的高度差别 氧含量：控制含量及均匀性 晶体缺陷：目前要求每平方厘米的晶体缺陷少于1000个 颗粒：典型值是200mm的硅片表面每平方厘米少于0.13个微粒，颗粒尺寸要大于0.08微米 体电阻：控制整个体硅中电阻率的均匀性 3、继续增大硅片直径的主要原因是什么？给出更大直径硅片的三个好处。 主要原因是：增大硅片直径给硅片制备带来成本利润。 更大直径硅片的三个好处： 更大直径硅片