固体物理学2)-8.ppt

第八章 半导体中的电子进程 半导体的晶体结构及能带结构 杂质半导体 半导体中载流子的统计分布 半导体的电导率和霍尔效应 非平衡载流子 p-n结 金属-氧化物-半导体（MOS）结构 二维电子气 8.1 半导体的晶体结构及能带结构 半导体的晶体结构 金刚石结构中的共价键 典型半导体的能带结构 有效质量回旋共振 半导体的晶体结构 元素半导体Si、Ge的晶体结构均为金刚石结构，又称正四面体结构。立方晶系，面心立方，复式格子，两套fcc沿[111]方向平移T/4套构而成，每个晶胞内有4个格点8个原子： 化合物半导体的典型结构是闪锌矿结构。 立方晶系，面心立方，复式格子，由两套fcc沿[111]方向平衡T/4套构而成。每个晶胞内有4个格点，8个原子。 金刚石结构中的共价键 金刚石结构中原子间以共价键相结合。 C原子电子组态：1S22S22P2，SP3杂化轨道，形成正四面体结构，键间夹角109°28'。 典型半导体的能带结构 半导体的能带结构 Si：导带底位于<100>方向，等能面为旋转椭球面， 椭球中心距布区中心约0.85kR处，有六个等同的对称方向。价带顶位于布区中心，分轻、重空穴带，在k=0处简并，另有一自旋-轨道劈裂的能带，带顶稍有下降。----间接能隙半导体。 Ge：导带底位于<111>方向，等能面为旋转椭球面， 椭球中心在该方向布区边界上，有八个等同的对称方向，每一方向仅有半个椭球在中心布区内。价带顶位于布区中心，分轻、重空穴带，在k=0处简并，另有一自旋-轨道劈裂的能带，带顶稍有下降。----间接能隙半导体。 GaAs：导带底和价带顶均位于布区中心k=0处。导带底等能面接近球面。价带顶位于布区中心，分轻、重空穴带，在k=0处简并，另有一自旋-轨道劈裂的能带，带顶稍有下降。----直接能隙半导体。 Si、Ge价带顶阶附近能带色散关系： Si、Ge导带底附近的能谱则可表为： 4. 有效质量和回旋共振 有效质量——其定义为： 回旋共振测量电子的有效质量： 　 半导体置于恒定磁场中时，电子在洛仑兹力作用下将作回旋运动，回旋频率为 ，此时再对半导体施以交变磁场，当交变磁场的频率 时，将发生共振吸收，称之为回旋共振。回旋共振频率与载流子之有效质量的关系为： 8.2 杂质半导体 施主杂质和施主能级 受主杂质和受主能级 深能级杂质 半导体的特性之一是其电导率对掺杂十分敏感。以硅、锗为例，掺入百万分之一的III族或V族杂质，其室温电导率可增加五、六个数量级。 替位式杂质：杂质原子占据正常格点位置。 填隙式杂质：杂质原子位于格点之间的间隙式位置。 施主杂质和施主能级（以Si、Ge为例） 在Si、Ge中的V族元素（如P），能提供多余电子，称之为施主杂质。 施主能级位于禁带中靠近导带底附近。 受主杂质和受主能级 在Si、Ge中的族元素（如B），能提供多余空穴（接受电子），称之为受主杂质。 受主能级位于禁带中靠近价带顶附近。 8.3 半导体中载流子的统计分布 平衡半导体的载流子浓度 本征半导体的载流子浓度和费米能级 杂质半导体的载流子浓度和费米能级 平衡载流子的统计分布 对价带空穴，有： 2. 本征半导体的载流子浓度和费米能级 本征半导体电中性条件：n=p 再由平衡半导体载流子浓度表达式： 3. 杂质半导体的载流子浓度和费米能级 杂质半导体中电子占据施主能级的概率及施主能级上的电子浓度： 考虑只有一种施主杂质的n型半导体，由电中性条件和平衡半导体的载流子浓度表达式，可得到不同温度范围半导体中的载流子浓度及费米能级位置随杂质浓度的变化。 低温弱电离区：本征激发尚未开始，仅有部分杂质电离时， 强电离区(饱和区)：随温度升高，杂质几乎全部电离，但本征激发仍很微弱( ) , 本征激发区：温度继续升高至本征激发占主导地位， 8.4 半导体的电导率和霍尔效应 n型半导体的电导率和电子迁移率 半导体载流子的主要散射机制 n型半导体的霍尔效应 n型半导体的电导率和电子迁移率 通过求解仅有电场时的玻耳兹曼方程，可得到： 价带中的空穴也对电导率和迁移率有贡献： 2. 半导体载流子的主要散射机制 半导体中载流子受散射的主要机制是电离杂质的散射和晶格振动（声学波和光学波）的散射，除此之外，位错及其它晶体缺陷对载流子的散射也有重要影响。 3. n型半导体的霍尔效应 半导体同时受电场和磁场作用时，霍尔效应是典型的输运过程。设电流沿x方向，磁场沿z方向，电子受到洛仑兹力，产生y方向的霍尔电场， 如考虑载流子速度的统计分布，则需引入修正因子： P型半导体，考虑价带存在两种空穴的情形： 8.5 非平衡载流子 非平衡载流子的产生与复合 准费米能级 非平衡载流子的复合机