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(3) 欧姆接触 也称为非整流接触。 定义：它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从电学上讲，理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比应当很小，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应当远小于样品或器件本身的压降，这种接触不影响器件的电流-电压特性。 重要性：在超高频和大功率器件中，欧姆接触时设计和制造中的关键问题之一。 实现的办法：对于Si、Ge、GaAs等重要的半导体材料，一般表面态密度很高。势垒的形成与金属的功函数关系不大，不能通用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。目前，在实际生产中，主要利用隧道效应的原理来实现。 * 5.5.1 半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷： 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷，对材料的物理性能、化学性能产生决定性的影响。 杂质和缺陷的存在禁带中引入允许电子存在单位的状态。 5.5 半导体材料的电导 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P+ - 替位式杂质 间隙式杂质 多余价电子 正电中心磷离子 P+ 1. 硅晶体中杂质能级 （1） 施主杂质 施主能级 杂质电离：正电中心磷离子对多余价电子的束缚比共价键作用弱得多，这种电子仅需很少的能量成为导电电子，在晶格中自由运动，这一过程称为杂质电离。 杂质电离能：弱束缚电子成为导电电子所需的能量。 杂质电离能举例： 硅中的磷： 0.044； 硅中的砷： 0.049 用能带图表示施主杂质的电离： — — — — — — — — + + + Eg Ec Ev ED ?ED （2） 受主杂质 受主能级 Si Si B- Si + — — — — — — — — - - - Eg Ec Ev EA ?EA 2. 氧化物中缺陷能级 杂质缺陷 不同于被取代离子价态的杂质 组分缺陷 引起非计量配比的化合物： 还原气氛引起氧空位； 阳离子空位； 间隙离子。 （1） 价控半导体陶瓷杂质能级的形成 例如： BaTiO3的半导化通过添加微量的稀土元素，在其禁带间形成杂质能级，实现半导化。添加 La的BaTiO3原料在空气中烧成, 用不同于晶格离子价态的杂质取代晶格离子，形成局部能级，使绝缘体实现半导化而成为导电陶瓷。 杂质离子应具有和被取代离子几乎相同的尺寸；杂质离子本身有固定的价态。 1）价控半导体陶瓷： 2）杂质离子需满足的条件 反应式如下: Ba2+Ti 4+O2-3+xLa3+=Ba2+1-xLa3+x(Ti 4+1-xTi3+x)O2-3+xBa2+ 缺陷反应： La2O3 =LaBa · +2e′ +2Oo× +O21/2(g) 添加 Nb实现BaTiO3的半导化，反应式如下： Ba2+Ti 4+O2-3+yNb5+=Ba2+[Nb5+y(Ti4+1-2yTi3+y)]O2-3+yBa2+ 缺陷反应： Nb2O5 =2LaTi· +2e′ +4Oo× +O21/2(g) 氧化镍中加入氧化锂，空气中烧结， 反应式如下： X/2Li2O+(1-x)NiO+x/4O2=(Li+xNi2+1-2xNi2+x)O2- 缺陷反应： Li2O +O21/2(g)=2LiNi′ +2h · +2Oo× — — — — — — — — - - - Eg Ec Ev EA ?EA - 价电子 2LiNi′ 2h · 3）杂质能带 — — — — — — — — + + + Eg Ec Ev ED ?ED + LaBa · 弱束缚电子和自由电子 化学计量配比的化合物分子式： MO 有阳离子空位的氧化物分子式： M 1-xO 形成非化学计量配比的化合物的原因：由温度和气氛引起。 平衡状态，缺陷反应如下： O21/2(g)=VM×+2Oo× VM× = VM′ + h ·