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异质结半导体激光器 为了获得较高的势垒要求两种材料的禁带宽度有较大的差值。 双异质结半导体激光器 双异质结半导体激光器 由于p-p异质结和p-n异质结对注入有源层的电子和空穴分别存在势垒，阻止电子和空穴的继续漂移，电子和空穴因此在有源层大量聚集，形成粒子数反转。 另外，GaAs相比于AlGaAs具有更高的折射率，因此形成二维介质波导将光子约束在有源层中，从而降低了光子的损耗，提高了光子密度。 1、谐振腔对激光频率的约束： nL=(λ/2)K λ=2nL/K (K=1,2,3…..) f=ck/2nL (K=1,2,3) Δf=c/2nL 分布反馈及分布布拉格半导体激光器 分布反馈式LD 分布反馈及分布布拉格半导体激光器 2、法布里-珀罗（F-P）半导体激光器的缺点： 腔长一般为数百个微米，难以实现单纵模输出。满足不了光纤通信的需要（单模光纤） 分布反馈激光二极管 3、DFB-LD的谐振： 沿有源层长度方向的折射率周期性变化（波纹状）的Bragg光栅。 分布布拉格半导体激光器 1.4 半导体激光器 (laser diode) 1.4.3、分布反馈激光二极管 4、分布反馈原理： 分布反馈激光二极管 光沿有源层传播时，一部分在光栅波纹峰反射（折射率不同），另一部分透射。 如果邻