17 第三章 异质结双击晶体管.pptVIP

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices 异质结双极晶体管 §3.13~3.14 Heterojunction Bipolar Transistor W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念 70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为“宽发射区”晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度大于基区材料的禁带宽度。 异质结是由 两种不同的半导体材料形成的PN结。例如：在P型GaAs上形成N型AlxGa1-xAs。 AlxGa1-xAs是AlAs 和GaAs这两种III-V族化合物半导体固溶形成的合金，x是在合金中的所占的摩尔分数。异质结的特性之一是禁带宽度随合金的摩尔分数而变化。 前言： 异质结双极晶体管HBT是指发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。异质结双极晶体管类型很多，主要有SiGe异质结双极晶体管, GaAlAs/GaAs异质结晶体管和NPN型InGaAsP／InP异质结双极晶体管, NPN型AlGaN/GaN异质结双极晶体管等。 异质结双极晶体管与传统的双极晶体管不同，前者的发射极材料不同于衬底材料，后者的整个材料是一样的，因而称为异质结器件。异质结双极晶体管的发射极效率主要由禁带宽度差决定，几乎不受掺杂比的限制，