第2章4场效应晶体管.pptVIP

2.6 MOS场效应晶体管 在微处理器和存储器方面，MOS集成电路几乎占据了绝对位置。 促进MOS晶体管发展的4大技术 半导体表面的稳定化技术 各种栅绝缘膜的实用化技术 自对准结构的MOS工艺 阈值电压的控制技术 2.6.1 MOSFET结构 MOSFET: MOS field-effect transistor 也叫：绝缘栅场效应晶体管（Insulated Gate, IGFET） 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET) 电压控制电流—场效应晶体管 分为N沟道和P沟道，每一类又分为增强型和耗尽型。 1 MOSFET结构示意图 2 MOS 结构 MOS是采用电场控制感应电荷的方式控制导电沟道. 为了形成电场,在导电沟道区的止面覆盖了一层很薄的二氧化硅层,称为栅氧化层. 栅氧化层上覆盖一层金属铝或多晶硅,形成栅电极.构成一种金属-氧化物-半导体结构,故称为MOS结构.目前栅极大多采用多晶硅. 2.6.2 MOSFET工作原理（NMOS为例） 1 VGS小于等于0的情况:截止区 两个背靠背的PN结,源漏间阻抗很大,电流近似为0。对应于直流伏安特性中的截止区。 2 沟道的形成和阈值电压:线性区 （1）导电沟道的形成 表面场效应形成反型层（MOS电容结构） 反型层是以电子为载流子的N型薄层,就在N+型源区和N+型漏区间形成通道称为沟道。