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- 2016-12-05 发布于广东
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存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0” 存储器的容量:“字数 x 位数” 一、静态随机存储器(SRAM) 1、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法:将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 举例 二、LSI中用的逻辑图符号 现场可编程逻辑阵列FPLA FPLA举例 PAL(Programmable Array Logic) 二、PAL的输出电路结构和反馈形式(自学) 三、 OLMC 工作模式(自学) FPLA与 PROM的比较 FPLA的基本特点:与阵列、或阵列都是可编程的 FPLA结构框图 一、PAL的基本结构 基本结构形式:可编程与阵列+固定或阵列+输出电路 编程单元:未编程前,所有的交叉点均有熔丝 P393:图8.3.2 PAL举例 GAL(Generic Array Logic) 一、GAL的电路结构形式 基本结构形式:可编程与阵列+固定或阵列+可编程输出电路 OLMC 编程单元:采用电可擦除的CMOS制作(E2CMOS),可改写 通过编程设置不同的输出状态。 GAL16V8电路结构 逻辑宏单
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