电子信息材料基础摘要精选.docVIP

微电子电路中的主要材料问题 1.衬底材料——Si，SOI， GaAs, InP, GaN等 （1）晶片直径越来越大；（2）微缺陷要求越来越高；（3）几何精度特别是平整度； 2.半导体材料的分类 1. 按化学组分和结构 元素半导体材料 (B, Si, Ge, Grey Sn, P,Se,Te) 化合物半导体材料III-V族半导体材料(GaAs, InP, GaN…） II-VI族半导体材料(ZnO, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSe…) IV-VI族半导体材料(PbS, PbSe, PbTe…) IV-IV族半导体材料 (SiC, SiGe, SiSn, GeSn…) 多元化合物半导体 (GaAlAs,InGaAsP,Zn1-xMgxSySe1-y…) 2. 按禁带宽度 窄带隙半导体材料/宽带隙半导体材料 3. 按使用功能 电子材料、光电材料、传感材料、热电致冷材料等 3.第一代半导体材料，元素半导体材料，以Si和Ge为代表; Si：Eg=1.12 eV 第二代半导体材料，化合物半导体材料，以GaAs1.42eV，InP1.35eV等材料为代表; 第三代半导体材料，化合物半导体材料，以GaN，SiC，ZnO等材料为代表; GaN: Eg=3.3 eV 半导体材料另一发展趋势是：由三维体材料向薄膜、两维超晶格量子阱