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离子注入工艺 当你学完本章时，你应掌握以下内容： 1. 了解离子注入工序的目的. 2. 了解在离子注入工艺程序中的三个关键的参数且 了解其所指的是什么. 3. 了解离子注入设备中的七个基本部分. 离子注入工艺 其意思是指介绍一种把确定剂量的离子注入到材料的确定 深度的方法. 离子注入法可在许多方面替代扩散，其原因是(1)它是一个室温工艺 (2)精确度更高. 离子注入工艺过程： 区域已完成掩模工艺 (通常涂有光刻胶). 加速离子被投射到芯片上. 离子注入到芯片掺杂区的未涂胶区域. 光刻胶被剥落. 系统 高压 - 提供掺杂离子所必需的加速度. 有毒气体 - 当前的掺杂原理是有害的. 所有此工序使用的气体是有毒的. 固体砷, 三氟化硼, 固体红磷. 高度真空 - 提供掺杂离子所需的有效率的传输环境. 机械设备： 芯片操作手 离子束调节系统- 大多数调节系统是机械调节的. 冷却系统 源极区的主要热量来自离子束的产生, 其它离子束区的热量来自离子轰击, 芯片的热量来自离子轰击. 控制系统 (计算机) 源极 灯丝 (很象一个灯泡) 通过高电流 (.5 - 5 安培!!), 加以低电压 (20-100伏特) 离化室 灯丝和离化室电压的不同指引电子从灯丝飞向离化室的壁 气体流入离化室 掺杂原子被灯丝敲击出轨道的电子所轰击, 以电离掺杂原子. 源极磁体 磁极区使电子形成旋涡 极大地增加了电子的飞行时间 增大了掺杂气体原子的碰撞的概率 许多不同的掺杂形式可能从源极中被发射出 (B11+, B10, BF2+, B11++, B11+++ ,2B11+, 等等.) 淬取 高电势下的离化室 从离化室抽出的电离的掺杂原子飞向基础电极 抑制电极适用于集中电离的掺杂离子 (‘离子束’) 汇集端机械地最大地最优化发射原子束 分析器 滤出不需要电离掺杂物 被选取的高纯度的离子束汇集并从分析器中离去、. 调节 (调焦) 磁体 在下层轰击步骤之前在此集中且调节离子束 由于有杂质的或不平行的离子束碰撞导致补偿离子束单相交. M Semiconductor Products Sector SPS Order Fulfillment Organization Semiconductor Processing Overview, Rev_O Motorola Confidential Proprietary Page 8.* 离子注入法用于改变硅特定区域的传导特性. P型的掺杂剂(硼-B；铟-In) 提供额外的“洞”. “负传导性” N型的掺杂剂 (砷-As; 磷-P; 锑-Sb) 提供额外的“电子”. “正传导性” 导带(Ec) 费米能级(Ef) 价带(Ev) 导带(Ec) 费米能级(Ef) 价带(Ev) 掩蔽层 掩蔽层 N-阱 N-阱(N-WELL) 离子注入 P型源漏(P+SD) 离子注入 掩蔽层 掩蔽层 掩蔽层 离子源 分析器 淬取电极 调整磁铁 加速栅 晶片 法拉第 离子注入器的示意图 晶片竖直地扫描 粒子束垂直地扫描 批处理 晶片竖直地扫描 粒子束水平地扫描 单片处理 离子注入器的扫描系统 加速器/减速器 一个在不同电势下电极的排列. 增加或减少被电离的掺杂原子(离子束)的能量. 法拉第 计算掺杂量. 晶片 接受掺杂的电离原子. 加速栅 V+ V0 不良的影响 晶格的损坏 - 是注入掺杂原子进基层材料(硅片表面或沉积层)时不可避免的结果. 下步的加热工艺必须消除原子能的束缚. 硅片的电荷 - 电离的掺杂离子打击硅片的表面. 大部分电离的电荷被转移到硅片的表面(进入点). 在一些情况下,如果不加以控制的话这些内建的电荷也许会导致绝缘体的崩溃. 芯片加热 - 主要由于离子束碰撞而引起的摩擦热. 这可能会引起光刻胶层的燃烧，且在一些特殊的情况下，致使芯片弯曲. 所以必须要很好地控制芯片的温度，特别是在高离子束流的情况下. 光刻胶的过量气体处理 - 典型地是在高离子束流量的情况下会有很大的问题.可能会引起法拉第附近离子注入室内的压力升高, 导致注入剂量过大或平整度问题. 影响离子注入的几种因素 真空度(特别是在法拉第附近) -影响: 由于电荷的中和可能会引起注入剂量过大. 机器污染 -影响: 可能污染注入的离子 -影响: 可能污染晶片表面 -影响: 由于用过量的污染气体处理，可能引起注入剂量过大. 由于在离子束里内建的可消耗副产品的影响会引起