第3章存储器层次结构-3精选.pptVIP

3.5.1 双端口存储器 2、无冲突读/写控制→实现不同存储单元的读/写并行 当两个端口的地址不相同时，在两个端口上进行读写操作，一定不会发生冲突。当任一端口被选中驱动时，就可对整个存储器进行存取，每一个端口都有自己的片选控制(CE)和输出驱动控制(OE)。读操作时，端口的OE(低电平有效)打开输出驱动器，由存储矩阵读出的数据就出现在I/O线上，控制方式见下表： 计算机组成原理 * 3.5.1 双端口存储器 3、有冲突读写控制→实现同一存储单元的读/写并行 当两个端口同时存取存储器同一存储单元时，便发生读写冲突。为解决此问题，特设置了BUSY标志。在这种情况下，片上的判断逻辑可以决定对哪个端口优先进行读写操作，而对另一个被延迟的端口置BUSY标志（BUSY变为低电平时读/写操作无效，即暂时关闭此端口）， 比如：左端口优先时置右端口的BUSY为低电平，此时的右端口读/写被延迟，当左端口读写结束时置右端口的BUSY为高电平而开启右端口，允许右端口读/写； 有冲突读写控制的两种判断方法： (1)如果地址匹配且在CE之前有效，片上的控制逻辑在CEL和CER之间进行判断来选择端口(CE判断)。 (2)如果CE在地址匹配之前变低，片上的控制逻辑在左、右地址间进行判断来选择端口(地址有效判断)。 无论采用哪种判断方式，延迟端口的BUSY标志都将置位而关闭此端口，而当