半导体制造技术第十七章.pptVIP

半导体制造技术 陈弈星 dreamtower@163.com 本章目标 1. 解释掺杂在硅片制造过程中的目的和应用. 2. 讨论杂质扩散的原理和过程. 3. 对离子注入有整体的认识，包括优缺点. 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性. 5. 列举离子注入机的５个主要子系统. 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应. 7. 描述离子注入的各种应用. 具有掺杂区的CMOS结构 CMOS制作中的一般掺杂工艺 热载流子效应 在小尺寸MOSFET 中，不大的源-漏电压即可在漏极端附近处形成很高的电场；特别是，当MOSFET 工作于电流饱和的放大状态时，沟道在漏极附近处被夹断（耗尽），其中存在强电场；随着源-漏电压的升高、以及沟道长度的缩短，夹断区中的电场更强。这时，通过夹断区的载流子即将从强电场获得很大的漂移速度和动能，就很容易成为热载流子，同时这些热载流子与价电子碰撞时还可以产生雪崩倍增效应。 热载流子引发的问题 热载流子穿过氧化层-硅界面，形成微弱的栅电流并引起氧化层内正电荷积累，使NMOS阈值电压减小，PMOS阈值电压增大，改变了器件的性能。 碰撞形成的空穴朝衬底运动，形成比栅电流大几个数量级的衬底电流，产生的压降使源和衬底之间的PN结正偏，形成“源-衬底-漏”寄生NPN，可能导致源漏击穿或是闩锁效应。 短沟道效应 当MOS的沟道长度与