场效应器件物理12CV3MOS原理.pptVIP

* * 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(2) 衬底偏压 反型条件 耗尽层电荷 VSB0，源区电势能= -e（VD+VSB) * * 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(4) VSB的存在使负的耗尽层电荷更多，VT增加，且VSB越大，VT越大 * 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(5) * 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(6) * 1.3 MOSFET原理 背栅定义 衬底能起到栅极的作用，称“背栅” VBS改变了耗尽层和反型沟道层的电荷分配之比，从而控制了IDS。 VGS若不变，VBS变化，使耗尽层宽度变化，耗尽层电荷变化，反型沟道电荷变化，则漏电流变化。 * 1.3 MOSFET原理 衬底跨导 衬底跨导gmb：VGS和VDS为常数时，ID随VBS的变化率 * 1.3 MOSFET原理 需掌握内容 衬底偏置效应的电位连接 P衬最低电位，n管阈值上升 N衬最高电位，p管阈值更负 衬底偏置效应对MOSFET的影响和物理过程 衬底“背栅”定义和物理过程 * END 据