电子技术基础(五版)康华光05 场效应管放大电路.pptVIP

FET与BJT的比较 2、带源极电阻的NMOS共源极放大电路 假设工作在饱和区 需要验证是否满足 VG ＝0，IDQ ＝I VS ＝ VG － VGSQ （饱和区） 3、电流源偏置的NMOS共源极放大电路 VD＝ VDD － IDQ Rd VDSQ＝ VD － VS 二、 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 VGSQ =VGG IDQ VDSQ vDS/V t O t iD/mA O id vo VDD VDD/Rd O iD/mA vDS/V Q Q’ Q’’ 三、 小信号模型分析 1、MOSFET的小信号模型 输入端口：栅极电流为零，输入端口视为开路，栅-源极间只有电压存在。 输出端口： 在小信号情况下，对上式取全微分得 其中， 高频小信号模型 2、MOSFET放大电路分析举例 例1： 设Rs=4k?， Rg1=150k?，Rg2=47k?，Rd=10k?，R=0.5k? VDD=5V， -VSS=-5V， VT=1V， 。试计算电路的电压增益，输入电阻和输出电阻 。 解：假设工作在饱和区，求Q点 得 s s 场效应管放大电路具有高输入阻抗的特点，所以特别适用于作为多极放大电路的输入级。 例2： 画出如图所示共漏极放大电路的小信号等效电路，并计算电路的电压增益、输入电阻和输出电阻 。 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 (N沟道) 　 源极(Source) N型导电沟道 栅极(Gate) 漏极(Drain) P型区 P型区 耗尽层 代表符号 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 + - vGS VGG 沟道电阻变大 ? ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? 同时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 预夹断后vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? 迅速增大 VDD + - vDS A 饱和 iD 　并且，越靠近漏极d处的电位越高， PN结所加反向电压越大，耗尽层越厚。整个沟道呈楔形分布。 ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，vGS越小导电沟道越容易夹断。 对于同样的vDS ， 改变vGS的值，iD随之改变。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP vGD=vGS-vDS + - vDS + - vGS VDD VGG JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG ? 0，输入电阻很高。 * 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管 5.4 各种放大器件电路性能比较 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 （耗尽型） FET Field Effect Transistor 场效应管 JFET 结型 MOSFET 按结构不同场效应管有两种: 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.4 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构 P型硅衬底 耗尽层 SiO2 铝 铝 铝 剖面图 衬底引线 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1015? ，故称绝缘栅型场效应管(IGFET)。 源极 栅极 漏极 又称金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET) 。 高掺杂N区 P型硅衬底 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 　当栅源电压vGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，漏极电流近似为零。 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 S D VDD 当vGS 0时, 产生电场，排斥空穴而吸引电子。 当vGS VT 时， 在电场作用下产生导电沟道。 vGS越大，导电沟