模拟电子电路试卷总集..docVIP

模拟电子电路 填空题（每空2分，共28分） 硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加. 二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分,还有快恢复与慢恢复之分,特殊的:娈容二极管,稳压二极管,隧道二极管，发光二极管，激光二极管，光电接收二极管，金属二极管（肖特基）用途：检波，整流，限幅，吸收（继电器驱动电路），逆程二极管（电视行输出中）． 利用二极管的单向导电 性组成整流电路 如图所示电路，设二极管正向压降为0.7V，则UR 3V，ID3mA。稳压二极管要工作在 反向击穿 区，才有稳压作用 硅二极管的导通电压为 0.7V，死区电压为 0.5V。 对于极性不明的二极管，可用万用表电阻挡测量。正向电阻较 小 ，反向电阻较 大 。 光电二极管是一种将 光能 转换为 电能 的特殊二极管。 LED是一种将 电 当温度升高后，二极管的 ， 。 直流稳压电源是由 电源变压器、整流电路、 滤波电路 和 稳压电路四部分组成。 稳压电源主要是要求在 输入电压变动和 负载发生变化的情况下，其输出电压基本不变 三极管的三个极分别是 基极 、 集电极和 发射极 ；工作区分别是 放大区、 饱和和 截止 ， 击穿区使三极管工作在放大区晶体三极管导通并当发射结的正向压降UBE为（0.6～0.8V）时，可判断该管是 硅 管； UBE为（0.2～0.3V），该管是 锗 管。 晶 有两个NPN三极管，甲管各极电位分别为VC6V，VB7V，VE2V，则甲管处于 放大 工作状态；乙管各极电位分别为VC6V，VB2V，VE2V，则乙管处于 截止 工作状态。 设某晶体管处在放大状态，三个电极的电位分别是UE12V，UB17V，UC6V则该管的类型为 PNP 型，用半导体材料锗制成。 场效应管FET是通过改变 栅极电压 来改变漏极电流的，所以它是一个 电压控制 器件。 晶闸管外部引出的三个电极分别称为 阴 极、阳 极和 控制 极。 从信号的传输途径看，集成运放由 输入级 、中间级、 输出级、 偏置电路这几个部分组成 集成运放一般分为两个工作区，它们是和工作区。 集成运放工作在线性区具有 虚短 和 虚断 特性。 集成运放两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者输出端信号极性与输入端相同，后者输出端信号极性与输入端相反。 理想化集成运算放大器有以下特性：开环电压放大倍数为、开环输入电阻为、输出电阻为、共模抑制比为共集电极放大电路具有电压放大倍数 ，输入电阻，输出电阻 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 若放大器的电压放大倍数为1000，转换为分贝数为 60 dB。 多级放大电路常见的耦合方式有耦合、耦合、耦合和耦合；在集成电路中通常采用耦合。 差模信号大小相等，极性相反；共模信号大小相等，极性 相同3mV，-5mV，输入信号的差模分量为 8 mV（差模输入电压）， +4mV（两输入端的差模输入信号），共模分量为 -1 mV。 引入反馈信号后，放大电路的净输入信号增强，这种反馈称。 在放大电路中，如果要实现稳定静态工作点的要求，应引入反馈。 若满足 AF》1 ，则认为反馈加的很深，称之为深度负反馈。反馈深度主要靠增大 反馈系数F 来实现。 放大电路的频率特性是指 随信号频率而变，称特性，而输出信号与输入信号的 信号频率而变，称 特性。 放大电路的静态工作点设置过高，输出会出现失真，设置过低会出现失真。 乙 .既能放大电压，也能放大电流的是组态放大电路。.既能放大电压，也能放大电流的是组态放大电路。 差分放大器的基本特点是放大、抑制。 耦合电容的作用是隔离，传送。 二、判断题（每题2分，共10分） 将一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起便形成了PN结。 1。复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。（ ） 在深度负反馈放大电路中，闭环放大倍数Af，它与反馈网络有关，而与放大器开环放大倍数A无关，故可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得稳定的放大倍数。在放大电路中，只要有正反馈，就会产生自激振荡。（×） 要增大放大电路的输入电阻，应引入串联负反馈。（√） 理想差分运放，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 差分电路的共模抑制比越小越好。（×） 若差分电路的输入信号幅度相同、极性相同，称为差模信号。（×） BJT工作在饱和区时，发射结反偏，集电结正偏。（×） LED是受光器件。（×） 共集电极电路成为电流跟随器。（×） BJT是一种电流型控制器件。（√） 二极管具有单向导