半导体物理与器件第七章1.pptVIP

半导体物理与器件 陈延湖 第七章 pn结 pn结在现代电子学中具有重要的应用，是多种半导体器件的核心。因而pn结对于各种半导体器件的学习特别重要。 p-n结的基本结构（7.1 ) Pn结的基本结构 Pn结的基本物理模型 p-n结零偏特性(7.2 ) 能带图 内建电势差 空间电荷区特性 p-n结反偏特性(7.3 ) 能带图 空间电荷区宽度与场 势垒电容 p-n结击穿(7.4 ) 雪崩击穿 齐纳击穿 7.1 P-N结的基本结构 半导体中的结：不同导电类型（或导电能力）的半导体的界面（过渡区）。 PN结的概念 冶金结（metallurgical junction）：分隔p区与n区的交界面又称为冶金结。 PN结的概念 PN结的制作方法 PN结的制作方法—合金法：整流二极管、稳压二极管等 PN结的制作方法 PN结的制作方法—离子注入法：FET中的二极管 PN结的杂质分布 ①突变结杂质分布：在pn结交界面处，杂质浓度由NA(p型)突变为ND(n型)。 PN结的杂质分布 ②缓变结杂质分布：在pn结交界面处，杂质浓度从p区到n区是逐渐变化的。 PN结的杂质分布 2 pn结的空间电荷区的形成 成结后： 成结后各电流成分： 7.2 零偏PN结 成结前： 成结后 平衡pn结的内建电势差 空间电荷区电场强度 空间电荷区分离的正负电荷产生内建电场，其电场强度的大小和电荷密度的关系由泊松方程确定 耗尽区近似