电池一厂培训考核试卷..docVIP

姓名 Name: 工号Employee No. 部门Department: 得分Score: 填空题（28） 1、我们公司主要使用的太阳能电池材料是_单晶硅_。 2、化学清洗中HCL的作用_去除金属离子_。 3、我们公司生产的单晶硅片是N型还是P型硅_P型_。 制绒的目的是：去除表面污垢和金属杂质、去除硅片表面的损伤层、增加PN结的表面积、形成绒面减少反射增强阳光的吸收。 5、制绒工艺化学反应方程式__SI+NAOH→NA2SIO3+H2__。 6、去PSG工艺化学总方程式__SIO2+HF→H2SIF6+H2O__。 7、硅片在切割的过程中所造成的损伤层约__10um左右。 8、制绒工艺主要控制点__减薄量__、__反射率___、_外观__、_绒面成活率__。 9、单晶制绒是利用晶体硅的___100__、___111___不同晶向在__碱溶液___中进行__ 各向异性____腐蚀的特性。 10、扩散过程中应用气体N2、O2、___小N____。 11、扩散在电池片上主要目的是形成一层_PN结_____。 12、进入扩散间必须经过二次风淋，穿戴好_洁净服_____、_静电鞋、口罩、 乳胶手套。 13、扩散方块电阻不均匀度__≤10%____，同一硅片扩散方块电阻不均匀度_≤5%____。 14、检测方块电阻用到_四探针______仪器，测试时扩散面向__上____。 15、清洗石英器件所需要的化学品__HF____、__HCL2____，清洗时应戴好积 防毒面具，防酸服，戴好乳胶手套、防酸长手套。 16、POCl3在高温下（600℃）分解的反应式为__(5POCL3≥600 3PCL5+ P205)，其中生成的P2O5在扩散温度下与硅反应式为(2P2O5+5Si=5SiO2+4P)，在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为(POCL3+O2=2 P205+6CL2)。 17、PECVD的中文名称：等离子体增强化学气相沉积。 18、PECVD镀膜方式有直接式、间接式两种。 19、镀减反射膜需要用到SIH4、NH3、N2、压缩空气四种气体。 20、镀膜是以 膜厚、折射率两个参数为工艺依据，影响镀膜质量的有：管内特气流量比、压强、功率、时间（或传输速度）、温度。 21、PECVD用椭偏仪仪器来检测其质量的好坏。 22、丝网印刷机的压缩空气压强要求 0.6—0.8MPa ，真空压强要求 -0.65—-0.7MPa 24、丝网印刷有 五 大要素组成，分别是 丝网、刮刀、浆料、工作台以及基片 25、丝网印刷添加浆料必须遵守 少量多次 26、烧结炉的作用是 烘干浆料，去除浆料中的有机成分；提高电池片的开路电压和填充因子，使其具有电阻特性；通过高温烧结，使上下电极形成良好的欧姆接触；提高电池片的转换效率。 27、烧结炉的流程有 上料区 、 烘干区 、 (预、主）烧结区 、 回温区（冷却区）、 下料区 28、烧结炉的关机步骤需要注意的是 炉温降到200度以下时 ,才可以停止传送带。 29、测试条件要求光强 1000±50W/m2 、温度 25±20C 、光谱分布 AM1.5 。 二、选择题（12） 1、清洗间所涉及的化学品有（ ABCD ）。 A 氢氧化钠 B 氢氟酸 C 盐酸 D 硝酸 2、磷硅玻璃是有（ BC ）组成。 A CF4 B SiO2 C 磷 D SiF4 3、刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（ A ） A 并联电阻 B 开路电压 C 短路电流 D 串联电阻 4、下列方程式中属于刻蚀工艺的是（ C ） A SiF4+2HF→H2[SiF6] B CF4+SiO2 ——→ SiF4+CO2↑ C CF4+SiO2 +O2——→ SiF4+CO2↑ D SiO2+4HF——→SiF4+2H2O 5、单晶绒面呈（ B ）形。 A 三角形 B 金字塔形 C 圆形 D 正方形 6、扩散洁净度要求是___C___。 A 10万级 B 100万级 C 1万级 D 1000万级 7、电阻测试___C___个