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5 场效应管放大电路(另一类三端放大器件) 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 * * 交、直流放大电路 信号运算电路 信号处理与产生电路 直流稳压电源 模拟电路的主要内容 Ch. 4、5、6、7、8 Ch. 2 Ch. 9 Ch. 10 （分类依据：电路功能，输入信号与输出信号之间的关系） 基础知识 Ch. 1、3 交、直流放大电路 分立元件 集成器件 场效应管FET 双极结型三极管BJT Ch.6 Ch.4 集成运算放大电路 Ch.5 功率放大电路 其它专门电路 Ch.8 放大电路中的反馈 Ch.7 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 特点： 体积小，重量轻，耗电省，寿命长；输入阻抗高，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，制造工艺简单。尤其MOS管在大规模和超大规模集成电路中占有重要地位。 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGF