《ITO半导体材料的可行性研究》.docVIP

ITO薄膜半导体材料的可行性预测 解山超 摘要：概括的叙述了ITO的特性及其发展历程，并对其以后的发展方向设想。ITO薄膜的电阻率不仅与ITO薄膜材料的组成（包括锡含量和氧含量）有关，同时与制备ITO薄膜时的工艺条件（包括沉积时的基片温度、溅射电压等）有关。有大量的科技文献和实验分析了ITO薄膜的电阻率与ITO材料中的Sn、O2元素的含量，以及ITO薄膜制备时的基片温度等工艺条件之间的关系。 关键词：ITO? 半导体? 玻璃? 薄膜 ITO（氧化铟锡）是一种n型半导体材料，具有高导电率.高可见光透过率。高机械硬度，和化学稳定性，因此，它是液晶显示器，等离子显示器，电致发光显示器，触摸屏，太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。 ITO薄膜的基本性质 一ITO薄膜的基本性能ITO（In2O3:SnO29:1）的微观结构，In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。ITO是一种宽能带薄膜材料，其带隙为3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为3.75ev，相当于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见光区ITO薄膜的透过率非常好，由于材料本身特定的物理化学性能，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。 二、影响ITO薄膜导电性能的几个因素ITO薄膜的面电阻（R）、膜厚（d）和电阻率（ρ）三者之间是相互关联的，这三者之间的计算公式是：Rρ/d。由公式可以看出，为了获得不同面电阻（R）的ITO薄膜，实际上就是要获得不同的膜厚和电阻率。 一般来讲，制备ITO薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易，可以通过调节薄膜沉积时的沉积速率和沉积的时间来制取所需要膜层的厚度，并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。 而ITO薄膜的电阻率（ρ）的大小则是ITO薄膜制备工艺的关键，电阻率（ρ）也是衡量ITO薄膜性能的一项重要指标。公式ρm/ne2T给出了影响薄膜电阻率（ρ）的几种主要因素，n、T分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、T越大，薄膜的电阻率（ρ）就越小，反之亦然。而载流子浓度（n）与ITO薄膜材料的组成有关，即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓度（n）可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现；而载流子迁移率（T）则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为了得到较高的载流子迁移率（T），可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。 图1　热处理初始温度对方阻的影响 图2　热处理初始温度对透光率的影响 由图1和图2可知,当ITO薄膜的热处理初始温度在100～200°C之间时,随着热处理初始温度的增大,方阻迅速减小,透光率缓慢增大;当热处理初始温度在200～400 °C 之间时,随着温度的增大,方阻缓慢降低直到400 °C 左右时达到最小值, 而此时薄膜透光率逐渐增大至最大值;400 °C 以后, 随着热处理初始温度的增大, IT O 薄膜方阻迅速增大,透光率明显下降。故热处理初始温度在400 °C 时, IT O 薄膜的光电特性最好。 2. 2　镀膜层数对光电特性的影响 在溶胶浓度为1%、铟锡比例为4∶1、热处理温度为450 °C 、热处理时间为20 min、热处理初始温度为400 °C 的条件下, 对镀有溶胶的玻璃片进行多次 共10 次 热处理。每次热处理以后测试ITO 薄膜的膜电阻和透光率, 得出镀膜层数与ITO 薄膜的光电特性关系如图3、图4 所示。由图3 可知, 甩膜5 遍以前, 随着甩膜次数的增加, IT O 薄膜厚度增加, 薄膜方阻迅速减小, 透光率迅速下降; 甩膜5～8 遍, 随着甩膜次数的增加, 薄膜厚度增加, 方阻缓慢的减小, 透光率几乎保持不变;甩膜8 遍以后, 随着甩膜次数增加, IT O 薄膜方阻几乎保持不变, 薄膜透光率有少许下降, 但变化不大。 图3　镀膜层数对方阻的影响 图4　镀膜的层数对透光率的影响 这是因为在ITO 薄膜厚度很薄 涂覆5 层以下 时,薄膜不连续, 像一个个的小岛一样地分散分布在玻璃衬底表面[ 2] , 在热处理过程中不利于晶粒的形成和生长, 导致方阻过大, 透光率较高。而在甩膜5 层以下时, 随着甩膜层数增加, 薄膜方阻和透光率均迅速下降