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与输入电流IB之间的关系曲线： 图15-42 共发射极输入特性 由于共发电路的输入端就是BE结的两端，因而其输入伏安特性必然类似于PN结的伏安特性，如图15-42(b)所示。 第(18)页 但是，共发射极输入特性的纵坐标是IB而不是孤立PN结的正向电流，而且IB受UCE一定的影响。 我们注意到UCE 0.3 V 时，UCE对输入特性影响较大， UCE 0.3 V 以后，影响较小，对于一般工作于放大状态的三极管总满足条件 UCE 0.3 V ，这时诸输入特性靠得很近，通常只画出一条特性曲线。 三极管也有一个死区电压，当UBE小于死区电压时，IB几乎为零，管子接近截止状态，超过死区电压IB（以及IC）明显增加，管子开始明显导通，故死区电压又称导通电压，用UBE(on)表示。Si管与Ge管导通电压绝对值范围如下： 0.2～0.3伏（ Ge管） 导通电压UBE(on) = （15-30） 0.6～0.7伏（ Si管） 2. 共发射极输出特性曲线 它是表示以输入基极电流IB为参变量，共发电路输出电压UCE 与输出电流I C 之间的关系曲线。 IC= f ( IB , UCE , ) 我们先讨论三极管放大状态下的输出特性。 如前所述，集电极电流 IC 是由 IE 传输过来的，只要UCE足够大，保证CB结处于反向偏置，则 IC 仅决定于IE（也就是决定于CB）而与 UCE 无关。如图15-43所示。 图15-43 三极管放大状态下的输出特性 第三十四讲 这表明半导体三极管具有恒流的输出特性。该恒流值仅取决于IB，因此三极管输出电流 IC 是电流控制的电流源。图15-44是不同 IB 时的输出特性一例。 图 15-44 不同 IB 时放大区的 输出特性 图15-45是完整的输出特性曲线。 图 15-45 共发射极输出特性曲线 输出特性曲线分四个区域：放大区，截止区，饱和区及击穿区。 ①. 放大区（也称线性区） 上式右边第二项 是不可控电流，它受温度影响很大，造成IC的温度漂移，是不稳定因素。但对于硅三极管，ICEO极小，可以忽略。IC与IB有正比的关系： 该区中IB对IC的控制作用 满足方程： （15-31） 使三极管工作于放大区的外部条件是BE结正偏，CB结反偏，如图15-46所示。 第(19)页 ②. 截止区 IB=0以下的区域，这时IC = ICEO 。 使三极管进入截止区的条件是：BE结与CB结均反向偏置， 如图15-47所示。 图15-47 三极管进入截止区的偏压情况 图15-46 放大区三极管的 偏置方法 ③. 饱和区 当UCE较小，满足条件UCEUBE时，三极管进入饱和区。 图15-48表示在不同UCE数值下，管子各电极的偏压情况。 可见，UCE较小时，CB结由原来的反向偏置转变为正向偏置，结果EB结及CB结均为正偏。如图15-49所示。 图15-48 饱和状态 饱和状态下，集电极电流锐减而基极电流剧增，这是由于CB结正偏时，CB结将产生反向注入，如图15-50箭头所示。图中，IF是EB结的正向注入电流，其被集电区收集的电流为?FIF。（ ?F是共基极正向电流放大系数） 图 15-49 三极管进入饱和区的偏压情况 图 15-50 BE结与CB结均为正偏时载流子的传输 IR是CB结的反向注入电流，其被发射区收集的电流为?RIR 。（ ?R是共基极反向电流放大系数） 故，饱和状态下， （15-32） 由式（15-32）可见，由于CB结反向注入的出现，IC将减小，IB将增加。在饱和区， IC不再受IB控制，放大区的?不适用于饱和区。对于线性放大电路，为了不产生波形失真，应力求避免进入饱和区及截止区。 第(20)页 最后应指出，①实际三极管的放大区特性并非严格的水平，而是略微向上翘，如图15-51所示。这意味着UCE的变化对IC仍存在一定的影响，三极管输出特性并非理想恒流源。实际输出特性的延长线与横坐标的交点VA称为厄尔利电压（Early）。 图15-51 实际放大区特性与理想特性的区别 * §15.3 半导体二极管 一. 基本结构 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二