集成电路工艺总复习精选.ppt

LOCOS隔离原理： 通过场区注入（仅NMOS场区）及场区选择氧化，增加场区的表面掺杂浓度及场区氧化层厚度，提高场区寄生MOS管的阈值电压至大于电源电压，使其不开启，从而消除寄生MOS管效应，实现了NMOS管之间和PMOS管之间的电气隔离。 LOCOS隔离原理： 场区寄生NMOS剖面图 回流/增密 工艺目的：①源漏注入杂质的电激活 ②减小注入损伤 ③BPSG致密化 ④BPSG回流，芯片平坦化 。 工艺方法：950 ℃ 30分氮气 CMOS器件结构剖面图及电路图 CMOS反相器电路图 CMOS器件结构剖面图 §10.3 现代先进的0.18μm CMOS集成电路工艺技术 14大工艺步骤： 1. 双阱工艺 2. 浅槽隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 轻掺杂漏（LDD）工艺 5. 侧墙形成工艺 7. 接触形成工艺 8. 局部互连工艺 倒掺杂阱技术： 连续三次离子注入 ①第一次高能量（＞200KEV）、深结（~1.0μm）倒掺杂注入，以减小CMOS器件的闭锁效应 ②第二次中能量注入，以保证源漏穿通电压 ③第三次小剂量注入，以调整阈值电压 浅槽隔离STI（Shallow Trench Isolation）： 浅槽隔离是在衬底上通过刻蚀槽、氧化物填充及氧化物平坦化等步骤，制作晶体管有源区之间的隔离区的一种工艺。它取代了LOCOS隔离工艺。 STI隔离的优点： ①提高电路的集成度 ②改善电路的抗闩锁性能 LOCOS隔离的缺点： ①鸟嘴浪费有源区面积影响集成度 ②横向尺寸不能精确控制 轻掺杂漏（LDD） （ LDD ，Lightly Doped Drain） LDD工艺目的： 减小源漏间的穿通和沟道漏电，提高源漏工作电压 侧墙形成工艺目的： 侧墙用来环绕多晶硅栅侧壁阻挡大剂量的S/D注入以免其接近沟道导致源漏穿通。 接触形成工艺目的： 在硅片所有的有源区上形成金属接触使硅和随后沉积的导电材料更紧密的结合，降低欧姆接触电阻。 自对准金属硅化物的形成（钛接触工艺步骤）： 1. 金属钛Ti沉积：用溅射方法 2. 退火：700℃以上形成硅化钛TiSi2 3. 湿法刻蚀金属钛：刻蚀未反应的Ti，所有有源区上都保留TiSi2，而氧化层上没有TiSi2 钛Ti的优点： ①使硅和随后沉积的金属紧密地结合 ②Ti与硅反应生成的TiSi2，其电阻率比Ti更低 自对准金属硅化物的形成 8. 局部互连工艺 局部互连LI（Local Interconnect）工艺目的：形成金属布线与器件之间的连接。—大马士革工艺 形成局部互连氧化硅介质的步骤 1. 沉积氮化硅：PECVD法，作用：保护有源区以防后续掺杂二氧化硅中的杂质向有源区扩散。 2. 掺杂二氧化硅BPSG的沉积：PECVD或HDCVD法，快速热退火：使BPSG回流 3. 二氧化硅抛光CMP：抛光后氧化层的厚度约8000? 4. 第九次光刻：光刻局部互连区（引线孔），局部互连区刻蚀 制作局部互连金属的步骤 1. 金属钛Ti的沉积：溅射Ti，作用：充当钨与二氧化硅的粘合剂 2. TiN沉积：溅射TiN，与步骤1连续进行，不出工艺腔。 阻挡层金属TiN形成的工艺目的：阻挡后续沉积的金属钨的扩散，提高器件的可靠性 3. 钨沉积：CVD法，钨的作用①比溅射铝有更好的孔填充，形成钨塞②具有良好的磨抛特性 4. 钨磨抛 考 试 题 类 型 一、填空题（10%左右） 二、简答题（55%左右） 三、计算题（15%左右） 四、画图题（20%左右） 以下英文缩写的含义： Fabless、foundry、CD、SiO2 、LOCOS、RTP As、RIE、CVD、ILD、LPCVD、Poly-Si PECVD、Ti 、TiN、TiSi2 、BPSG、FSG、STI FOX、LDD、LI 单项工艺的概念： 硅热氧化的概念 硅中杂质扩散的概念 离子注入的概念 光刻的概念 刻蚀的概念 化学气相沉积CVD的概念 电子束蒸发的概念 溅射的概念 ××的目的（或工艺目的） ××的原理 ××的机理 ××的过程 ××的作用 ××的优点 ××的影响因素 ××的化学反应式 ------------- * * 化学气相沉积CVD的概念: （Chemical Vapor Deposition） 化学气相沉积是利用电阻加热、等离子体、光辐射等能源使某些气态物质发生化学反应，生成固态物质并沉积在衬底表面形成薄膜的过程。 薄膜特性（即集成电路对薄膜的要求） 1. 台阶覆盖好 2. 填充高深宽比间隙