《单晶硅外延基座研发及产业化项目可研报告》.docVIP

目 录 第一章 项目意义和必要性 - 1 - 1.1 国内外现状和技术发展趋势 - 1 - 1.2 产业关联度分析 - 4 - 1.3 市场分析 - 6 - 1.4 竞争力分析 - 9 - 第二章 项目技术基础 - 11 - 2.1 成果来源及知识产权情况 - 11 - 2.2 项目技术先进性 - 12 - 2.3 项目的可行性和成熟性 - 16 - 第三章 项目建设方案 - 20 - 3.1 项目总体方案 - 20 - 3.2 建设地点 - 20 - 3.3 项目进度 - 21 - 3.4 拟达到的经济、技术目标及水平 - 21 - 第四章 环保、节能及原材料供应情况 - 22 - 4.1 环境保护 - 22 - 4.2 能源节约 - 23 - 4.3 原材料供应 - 23 - 第五章 项目法人基本情况 - 25 - 5.1 企业概况 - 25 - 5.2 人员情况 - 26 - 5.3 企业资产信用状况 - 27 - 5.4 企业近三年生产经营情况 - 28 - 第六章 项目投资及资金筹措 - 29 - 6.1 投资估算 - 29 - 6.2 资金来源 - 37 - 第七章 经济效益分析 - 39 - 7.1 经济效益评价 - 39 - 7.2 财务评价附表 - 43 - 第一章 项目意义和必要性 1.1 国内外现状和技术发展趋势 1.1.1产品简介 碳化硅（SiC）涂层石墨基座是目前单晶硅外延生长用和氮化镓（GaN）外延生长用最好的基座之一，因此也称单晶硅外延基座，它是外延炉的核心部件。该基座属于大规模集成电路产业用单晶硅和LED光电子产业基础材料GaN的生产配套件及关键设备，符合电子信息产业振兴规划。 碳化硅（SiC）涂层石墨基座是以化学气相沉积（CVD）技术生产出来的，具有高纯度、耐高温、耐腐蚀、气密性好，因此具有很好的高温物理、化学性能，是当今特种陶瓷领域中的高端产品和前沿课题。由于该基座是生产单晶硅和氮化镓外延等半导体行业基础材料的关键部件，所以它是我国微电子、光电子产业发展的基础和源头。 根据国家发展和改革委员会、科技部、商务部发布的《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2007年度）》，该产品属于指南“第一类第15条：电子专用设备、仪器和工模具：8-12寸硅片生产设备，化合物半导体生产设备，碳化硅单晶材料生长设备，片式元件生产设备，……”。 1.1.2国内外技术现状 碳化硅（SiC）气相沉积技术是国外早已发展的技术，但作为化学气相沉积，用做外延基座在我国至今仍然还是空白，所以，每年约几十亿元的资金用于进口此种基座，西方各国对此技术的生产配方和工艺都极为保密。****禹王实业有限公司****分公司通过自主研发，其技术工艺及产品各项指标均达到国际同类产品水平，在国内处于领先地位。 当前，生产SiC涂层的单晶硅外延生长用石墨基座企业，国内只有我公司一家能够独立的生产与研发，世界范围内也只有德国西格里碳素集团、台湾万电国际、日本东洋碳素公司、美国MEMC电子材料有限公司拥有此技术，且长时间对我国形成技术垄断。我国国内上千家半导体厂家需求的相关产品全部是由国外进口，价格极高且订货周期长，通常为5个月的供货期，因此在产品供应周期上也限制了我国半导体产业的发展。 1.1.3国内外产品发展现状 单晶硅外延用基座（SiC涂层石墨基座）近十年发展很快，有平面、立体基座等。目前国际市场对SiC涂层基座需求呈现大直径发展的趋势，以Φ300mm左右的SiC涂层石墨基座生产将成为主流。 通过本项目的实施，将解决我国微电子、光电子行业电子基础产品所需特种陶瓷基座的供给难题，实现半导体生产中关键易耗部件的国产化。同时解决单晶硅外延生长中粘附工件与台面的技术难题，为我国单晶硅向大直径发展提供设备支撑。 1.1.4产品、技术发展趋势 a、直径呈扩大趋势 单晶硅的发展一直呈现大直径的发展潮流，硅单晶圆片越大，同一圆片上生产的集成电路就越多，这样既可降低成本，又能提高成品率，但材料技术和生产技术要求会更高。按直径分硅单晶圆片可以分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来又发展出12英寸甚至更大规格。所以对单晶硅生长基座的需求呈现出大直径的发展趋势。 b、材料以SiC为主 我国单晶硅外延在二十世纪七十年代遇到很多棘手问题，其中最普遍也是最严重的就是“硅外延片几乎都有雾点，二极管和三极管的成品率平均为20%－30％”。1976年，中国科学院金属研究所赵凤鸣教授主动深入工厂，以辽阳第一晶体管厂为第一现场，帮助解决这一难题，并对我国当时使用的几种基座（纯硅基座、碳化硅基座、包硅基座、玻璃碳基座、热解石墨基座）进行了试验对比分析，最后国内推广了他的科研成果，由研究单位到半导体厂家