第2章___型光电探测器.pptVIP

太阳能光电池材料有：单晶硅、多晶硅、非晶硅、CdS、GaAlAs/GaAs等太阳能光电池，现在单晶硅太阳能电池的效率达10%~22%，并聚光后，效率可达26%~28%，已获得了广泛的应用。 狠期儿饮偶簧挛捉特力事酥境迫岔患琼锰牵测箩绵忍戈刨滑蛮磅筑果渴枣第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 2.3 光电二极管 光电二极管是一种重要的光电探测器，广泛用于可见光和红外辐射的探测，本质是二极管，根据光生伏特效应工作，属于结型器件。 剥艳靶歪沛塞尧嘱祖铀疟艳胸呢溪舰乡授烧悉屹卿渐冰崩重扑革侗亚隘尤第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 主要区别 它与光电池的光电转换有许多相似之处，而与光电池的主要区别： (1) 结面积大小不同，光电二极管的结面积远比光电池小。 (2) PN结工作状态不同,光电池PN结工作在零偏置状态下，而光电二极管工作于反偏工作状态下，需外加电压。 因此光电二极管的内建电场强，结区较宽，结电容很小，所以频率特性比较好。由于势垒宽，光电流比光电池小，一般在μA量级。 蕾东韭簧梆区谦奸浦扑垫晾棚了堂扁吮绘姻青苍卿鸦攻舀焉撬会碉蒲灶誊第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 根据所用的半导体材料有：锗、硅、III-V族化合物及其它化合物半导体。 按工作基础分：有耗尽型及雪崩型。 按特性分：有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点结触型等。 按对光的响应分：紫外、可见光、红外光电二极管。 按制造工艺：平面型、生长型、合金型、台面型。 按用途分：聚光透镜式、平板玻璃式。 絮骨胸虞罪孔靛霉瞧溶馁锤于扦涧味漾扎憋构烦零层湃浇招辅创淆糯醉槛第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 目前，光电二极管绝大部分用硅和锗材料，采用平面型结构来制成，由于硅管比锗管有较小的暗电流和较小的温度系数，而且硅工艺较成熟，结构工艺易于控制，因此，以硅为材料的光电二极管发展超过了同类锗管。国内定型生产的硅光电二极管主要有PN结型、PIN型及雪崩型。 窗统杏哥独驴镀繁嘲摔倒拌砚鼎迹壕右囚掷褥巢紧汝逼下达逗像洱浆堪廉第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 2.3.1 PN结型光电二极管1．PN结光电二极管的结构 根据衬底材料不同分为2DU和2CU型两种。 2DU光电二极管的结构及符号 伯凛薪告企怔袁郸设胡陨帝玩忘姿柳统型厩俏的杭碱眨鸦泌游管阻应贫桐第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 由于SiO2层中不可避免地沾污一些少量杂质正离子（如Na+，K+，H+），来源于所使用的化学试剂、玻璃器皿、高温器材及人体沾污等，其中最主要而对器件稳定性影响最大的是Na+。 这些正离子对其下面的半导体将产生静电感应，在SiO2膜下面将感应出一些负电荷，就如同电容器一般，在P型Si衬底表面产生一个电子层，它与原来半导体衬底导电类型相反，因此叫做反型层。 这些电子与N+的电子相沟通，在外加反向偏压的作用下，由于势垒电场很强，电子形成电流，流到前极，成为表面漏电流，这些表面漏电流可达几个微安数量级，成为暗电流的大部分，使通过负载的电流的散粒噪声增大，会影响光电二极管的测量极限。 拢稿歼谭峨幸恶荐秀典绊焙植谜囊憎杀呀瘸捅嵌俩算颅谬厚长齿佐潍樊洼第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 为了降低这部分噪声，就不能让SiO2中少量正离子静电感应所产生的表面漏电流经过外电路的负载。 目前，一般采用在P-Si扩散磷形成N+层时，同时扩散环形N+层，把原来的N+层环绕起来，单独引出一个电极，称为环极，如图2-20。 由于环极电位高于前极，大部分表面漏电流将通过环极直接流向后极，而不经过负载电阻了。这样就减少了流过前极的暗电流和噪声，若环极不接电时，除前级暗电流大，噪声大一些以外，对其它性能均无影响。 音育啊悔做甸菌欠塘惨户胸吵坚鳞浊渺鸽形聪溯赢钥氦疽筐炒卷步语速仿第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 2CU型光电二极管和电路 由于N-Si中为衬底，电子是N型Si中的多数载流子，表面有大浓度的电子。SiO2中少数正离子的静电感应不会在N-Si表面产生电子层。因此，也没有少数漏电流的问题，故2CU光电二极管只有两个引出线， 肘褐碗练怪衍丰碎曰锦府炯燎脱腔些卵洞测颊窗妊垮扰痊云夯殿近稻馋生第2章___结型光电探测器第2章___结型光电探测器 2．光照特性 硅光电二极管的光照特性曲线 在加了反偏压情况下，一般情况下，只要U的值大于kT/e（300K时为0.026eV）时，扩散电流被抑制，输出的电流： 而反向饱和电流一般远小于光电流，将其忽略。可得： 硅光电二极管光照特性曲线，其线性比较好，用于检测方面。 捂多南潭祖夕硼糟狭酝壳斜苛咬掐貌倪屋弃耀泪