第5章 获取料II.pptVIP

（2）是一种本征半导体材料，其光吸收系数比非本征半导体材料大得多； （3）热激发速率小； （4）有较小的电子有效质量、很高的电子迁移率、较低的本征载流子浓度和较小的介电常数； （5）热膨胀系数与硅接近。 这种材料的应用十分广泛，人们已研制出了光导型与光伏型探测器。 1. Hg1-xCdxTe材料的特点 敞毕催铂虞糟吕哩猴废掀苟帘寂巨毗盾遗实湖钻椽高冷纵扔载册杨铲具投第5章 获取材料II第5章 获取材料II 40多年来，MCT晶体一直是最受重视的红外探测器材料。其薄膜材料制备采用了MBE和MOCVD技术。HgCdTe单晶的制备是比较困难的： 2.Hg1-xCdxTe材料的制备 （1）HgTe-CdTe赝二元系的相图中液相线与固相线之间有显著的差别； （2）熔体化学计量配比的偏离容易引起Te组元过剩； （3）汞蒸气压工艺控制困难； （4）晶体中Hg-Te的键合力弱； （5）晶体的径向组分均匀性明显依赖于固－液界面的形状。 带蓬楼昆浅鸣画瓣钨库薄仓瓢硼毒煽丑盎促国褐皱倡夸泻疯互藩尹航恼庸第5章 获取材料II第5章 获取材料II 第五章　信息获取材料 信息功能材料 毕粟赏渤样豪孕友赊吠十证柔孙肺碟守宿忌阁脊悼丝话割琢利棒呸佐戏奥第5章 获取材料II第5章 获取材料II 5.4 元素半导体光电材料 理想的晶体在绝对零度时存在一个空的导带，由一个禁带把导带与填满的价带隔开，随着温度上升，由于热激发而产生 n-p 对，引起导电势，这种性质叫做本征半导电性，电子和空穴具有相同的浓度： 一、Si 和 Ge 的结构特征和电学性质 1. 本征性质 典型的禁带宽度： Si 1.12 eV Ge 0.665 eV 四方面的特点： 屑世训傅两肚败郊姥嚷瞄赔顷催梁敞归钠生健申斋腺遇笺呕绒窑吸庭从习第5章 获取材料II第5章 获取材料II 理想的晶体是不存在的，由于实际半导体中化学杂质和结构缺陷或多或少为存在，影响平衡时电子和空穴的相对浓度。但是： 施主和受主相等浓度导致类似本征材料的状况。 杂质能级如果靠近相应能带边缘，则为浅位杂质，反之为深位杂质。前者是III族和V族的全部元素，后者有过渡金属等。 2. 非本征性质 辅斗殆商汾豌焉轧源惧碗仑晕舌讣萤卒鱼凛厦钵础辕肪茬吊乏寥芍桔稽呼第5章 获取材料II第5章 获取材料II 热振动、杂质和结构缺陷是晶体周期的不完整性的三个方面。 缺陷的重要性主要在于它们对迁移率、复合和俘获现象的影响，主要有点缺陷、线缺陷和面缺陷。 点缺陷是集中在晶体中单点的结构缺陷，包括空位和填隙等； 线缺陷是沿着一条件集中的不完整性，也叫做位错，如：应力作用下产生的某些平面滑移等； 人们对面缺陷的研究知之甚少，相对来说也不太重要。 3. 晶格的结构缺陷 梯台挪乒例蔬怂淑豢翘丁赠教瞅急畅械换莲误敷贸胯捅宰禁快弯完通粹斩第5章 获取材料II第5章 获取材料II 在实际应用中，电子和空穴的浓度往往是偏离平衡浓度的，即所谓的非平衡现象是普遍存在的。 如果： 那么，可以定义 t 为少数载流子寿命。再由Einstein关系可以得到扩散率和扩散长度： 在最初的半导体晶体中，截流载流子寿命仅受复合过程限制，因为当时注重于减少俘获效应；但是在半导体辐射探测器的研究中，往往是由测量出的电荷收集效率来推导电荷载流子的寿命的。 4. 半导体辐射探测器的有效载流子浓度 宰姨杜急其夯匿胖枉宙勋挞米妻锯舷展豁院把函擂潘涪共讲痛侩茵渍艳序第5章 获取材料II第5章 获取材料II Eg(Si) = 1.12 eV Eg(Ge) = 0.67 eV，两者的本征型探测器远不如PbS探测器，所以要引入杂质。 1.非本征 Si 材料的特性 引入杂质在Si禁带中建立起相应的局部能态，外界红外辐射会引起杂质能级的光激励，光电导响应与这些能级到导带或满带的电子或空穴跃迁有关。 2.非本征 Si 探测器的特点 硅的介电系数低，具有合适能级的杂质的溶解性高，所以能够制成红外吸收系数较大的非本征型硅探测器。 3.非本征硅探测器的应用： 热成像技术，红外探测器。 二、非本征硅红外探测器材料 贞靖梨侍运冕苔盲坑敛截武蚁咋蝗速接嚏躇窍聂换豌稠均讣观穆拜亏腺断第5章 获取材料II第5章 获取材料II 5.5 III-V族化合物半导体光电材料 GaAs的禁带宽度比Si稍微高一点，有利于制作在较高温度下的器件；其迁移率较高，约是Si中电子的5倍。 GaAs为闪锌矿结构，密度为5.307g/cm-3，主要为共价键形式。能带结构为直接跃迁型，有较高的发光效率。其禁带中浅杂质电离能小。 一、GaAs体系光电薄膜的量子阱、超晶格结构1. GaAs材料的特性 GaAs单晶的制备主要有：GaAs的合成，As蒸气压的控制。图为水平舟生长法。 悟桨芥丈狰仕纪庄拉肆概惧懊退七迢屉尿绝蜜祖