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InGaN基太阳电池研究现状 林硕（厦门大学 物理系,福建 厦门 361005） 摘要:本文首先小结了InGaN基太阳电池的优点和面临的主要困难.而后本文回顾了InGaN基太阳电池的研究现状:包括同质结,异质结,量子阱等几种结构的太阳电池.根据文献报导,目前InGaN基太阳电池在AM1.5G光谱下的最高实际效率为０.８％, 最高峰值外部量子效率为６３%(出现在光谱波长处).可见InGaN基太阳电池的研究目前正处于刚刚起步阶段. 关键词: InGaN;太阳电池;同质结;异质结;量子阱; 中图分类号：文献标识码：A合金的禁带宽度在0.7eV（InN）～3.4eV(GaN)范围内可以连续变化, 几乎覆盖了整个太阳光谱. 这为制备超高效率的InGaN层叠太阳电池提供了可能性. 作为III-V族化合物半导体太阳电池材料中新的一员,InGaN材料作为候选的太阳电池材料除了禁带宽度在0.7eV～3.4eV连续可调,还具备许多优点.由于具备高硬度,耐高温,耐辐射（抗辐射能力比GaAS强很多）、耐酸碱的优点,InGaN材料非常适合于制备超高效率的太空太阳电池.它在In的组分由0到1变化范围内,都是直接禁带材料,具有很高的吸收系数,所以电池可以做得很薄,有利于节省材料.对层叠太阳电池而言,同一设备生长多结InGaN太阳电池比目前用几种不同的半导体材料制备太阳电池（如：InGaP/(In)GaAs/G