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薄膜淀积技术 湿法刻蚀特点： ?? 选择性高； ?? 生产量大；加工精度：~3μm ?? 装置成本低； 干法刻蚀特点: ?? 可控性好； ?? 加工精度高,可达0.2μm； ?? 可加工设计形状； 对于硅系材料, 最常用的是用在CF4中放电所产生的 等离子体来腐蚀Si、多晶硅和Si3N4。 主要反应： 在刻蚀过程中起主要作用的是原子态F和CF3游离基。近来人们发现在CF4中添加少量氧可使Si的腐蚀速率明显提高。这是因为O2与等离子体中的CF3、CF2或CF游离基作用而放出原子态F所致。 * * 半导体工艺中所涉及的常用薄膜： Evaporation (蒸发） Sputtering (溅射） 使用加热、等离子体或紫外线等各种能源，使气态物质经化学反应（热解或化学合成）形成固态物质淀积在衬底上的方法， 叫做化学汽相淀积(Chemical Vapor Deposition)技术，简称CVD技术。它与真空蒸发和溅射技术并列，是应用较为普遍的一种薄膜淀积技术。 特点： 1、淀积温度低； 2、可以淀积各种电学和化学性质都符合要求的薄膜； 3、均匀性好； 4、操作简便，适于大量生产； CVD技术： CVD的化学反应大致分为两种类型： 一是一种气态化合物在一定激活能量下被分解，生成固态物质淀积在衬底上，而其它则为气态物质跑掉，如：SiH4 Si + 2H2 另一类是两种气体化合物经化学反应生成新的固态物质和气态物质，如： 3SiH4 + 4NH3 Si3N4 + 12H2 CVD的分类： 可按淀积温度，反应腔气压或淀积反应的激活方式分类 — 低温CVD (200-500°C) — 中温CVD（500-1000°C) — 高温CVD（1000-1300°C) — 常压CVD — 低压CVD — 热CVD — 等离子体CVD — 光CVD 等等 热CVD系统： 等离子体CVD Molecular Beam Epitaxy (MBE) 分子束外延技术 MBE自1960年开始就有人提出，是一种超精密和极精确的薄膜生长技术。其利用的是蒸发原理，将分子束射至单晶衬底上生长单晶外延层的方法。 MBE的特点： ?? 超高真空；设备中外延生长室真空度可达5x10-11Torr,这样分子平均自由程L较大。例如：P=10-9Torr, L=5x106cm。这样大的自由程使分子碰撞几率很小，薄膜生长均匀，生长速率和组分可精确控制。 可以实现低温过程；这样能减少杂质扩散和沾污的几率。利用MBE技术可生长出位错密度102cm-2的外延层。 原位监控；MBE设备上安装有许多原位监控仪器，可以实时监控外延薄膜的生长参数以及物理性能。 (UHV = Ultra High Vacuum) Photolithography Lithography is the process in which a microelectronics patterns are transfer to a substrate. This transfer can be aided by light, electron-beams, ion beams, x-rays, etc. Without the techniques of pattern definition, the fabrication of multiple devices on one semiconductor would be impossible. Although the techniques of pattern definition seem simple they are the heart of modern IC fabrication. 半导体器件制作 Photoresist Photo lithography is a process in which wafer is coated with a light sensitive polymer called photoresist. Polyisoprene is an example of a commonly used photoactive agent. A mask is used to expose selected areas of photoresist to UV light. The UV light induces polymerization in the exposed photoresist. UV causes it to cross link rendering it insoluble in developing solutio