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版图设计与L-Edit软件Layout and L-Edit  集成电路版图设计 集成电路设计 集成电路版图设计 集成电路版图设计 集成电路版图设计 集成电路版图设计 CMOS P衬N阱 1P4M 工艺 集成电路版图设计 NMOS对应立体结构和平面版图 版图的层次定义 NMOS 版图层次(CMOS P衬N阱工艺) Active：有源区 N select：N+注入 Poly：栅 Metal1：金属1 Contact：接触孔 版图的层次定义 PMOS 版图层次（ CMOS P衬N阱工艺） Active：有源区 P select：P+注入 Poly：栅 Metal1：金属1 Contact：接触孔 N-Well：n阱 版图的设计 CMOS管的宽长比定义 MOS W(um) L(um) P1 14 2 N1 6 2 目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率。 定义：考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平(包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。 版图的设计规则 版图