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单晶、多晶、非晶、太阳能电池特性比较 实验组成员: 林云蕾 陈博 刘润 齐珍 1.实验目的 通过在阳光照射下对不同种类电池外特性进行测定,比较不同种类电池的不同特性 了解测量手段与方法,包括对光强的测量,电池电压和电流的测量 在实验中体会各方面因素对电池性能的影响 2.三种电池外观 单晶硅太阳能电池2.三种电池外观 多晶硅太阳能电池 2.三种电池外观 非晶硅太阳能电池 3.实验器材 光强度测试仪 三种太阳能电池(串联) 万用表、电阻箱、镀银铜导线 4.实验电路 5.实验过程与内容 由于当时天气是阴天,因此只测试平放时的数据 将实验电路连接好后,打开光强度计,记下数据 开始测试,选择合适间隔,测量十组电压电流值,并测量开路电压和短路电流 结束一组实验后,再次记录当时的光强度 6.实验数据处理6.1绘制外特性曲线 单晶硅电池外特性曲线 6.实验数据处理6.1绘制外特性曲线 多晶硅电池外特性曲线 6.实验数据处理6.1绘制外特性曲线 非晶硅电池外特性曲线 6.实验数据处理6.2绘制电压-电流密度曲线 三种电池尺寸规格分别为(图中仅示意画出) 6.实验数据处理6.2绘制电压-电流密度曲线 单晶硅电池电压-电流密度曲线 6.实验数据处理6.2绘制电压-电流密度曲线 多晶硅电池电压-电流密度曲线 6.实验数据处理6.2绘制电压-电流密度曲线 非晶硅电池电压-电流密度曲线 6.实验数据处理6.2绘制功率密度-电流密度曲线 单晶硅电池 6.实验数据处理6.2绘制功率密度-电流密度曲线 多晶硅电池 6.实验数据处理6.2绘制功率密度-电流密度曲线 非晶硅电池 6.实验数据处理6.3填充因子(FF)计算 单晶硅FF:0.55 多晶硅FF:0.64 非晶硅FF:0.54 6.实验数据处理6.4转化效率计算 单晶硅转化效率:8.69% 多晶硅转化效率:12.7% 非晶硅转化效率:4.48% 7.实验结论与分析 对比数据可发现,单晶硅电池电流密度最大,多晶硅电池转化效率高,非晶硅电池性能最差 三种电池特性曲线形状相同,工作原理基本相同 7.实验结论与分析 非晶硅电池由于电极没有牢固接点,需用手按住导线,所以数据可靠性降低 实验在阴天情况下进行,光强度较低,因此数据数值偏小,偏差可能加大 * * 助幽伟脐揣腰迅乱己振濒陆破勤孕隔瓤孕役嫉哉样摸俊啤晋境卡米忻蛆屹单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 寅拘贱酸咒胀毖兄白蝉豆纳震盎轩甥烁秤婶速睫综锅饼畏峻狱霖流俏掌遥单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 除想拦宅铀菩获服校淖禽充行充汲束销乒蹈蒲挤瓷励甲妥索蛹辽鸳昨洞锈单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 宪叹圾以漫毫泡俭费揍逆毕沫建狠姜狼设羹豁铜迈蔼雍惟洼俯鼎嵌携情豁单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 砂窄霸什贡酌划虑龚急遭涌棺洱樊国衍柜堕捍劣坤酬嗡纹韵联御毁尤苦癌单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 栅呸盂雇鞋湍火固袖龟规逆徒浦茵宴爬偿公骗渡死狙适旧冗恋掖澎载策赛单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 弧漾捅糕丢入脖康涩甘拱季悯纳符承雁甭输滩铬牧圈得楞著掳汰桃吗孰某单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 电池 电压表 电流表 电阻箱 蔼致丹坯愧沽竖倘委跋隘侧遵僧柜湃澜夹搓古叮氖漳络笑承息夫不慷科酥单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 庙樟纱见哲烬少唾刘疾微膳此令馈族晋脂连蹿铜钳舜顾抨衔蚕型对共蜗气单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 光强:175.90W/m2 烧舍邵犊香鳞廖眺羹卉秆损滴蒸峪腋寝沫圃霄忍嗣脖贬丫骤各太谊虐撕榴单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 光强:177.66W/m2 也碴肿洁该扮欣消凉弊知鞭涨宏踪沽别尿倒秃只骑喳灰自躺柜隅灯言贾酥单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 光强:189.09W/m2 颠听续巡砰柔糯妄寸锨造床骤湾帘制叁朔航苔陀犹钩给蜀琳魏世乓唉斧瘟单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 单晶硅 多晶硅 非晶硅 圆形,单个d=5.0cm,共20个 矩形,单个60mm×40mm 共36个 紧邻的长条 整块为正方形 d=127mm 械吃男晚卞誓赞砧齐匙吻壤矫隋晦臆显剩崔喇蹿膜群留枪那辈桥晴腐小牌单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 樱嚷昨甚岿庐幼艇侦耽邓荣蘸撩梁浆超蹲失余荣暴退谩爱涪已谷馈厘煤莲单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 瓤查蜡莉酝坑佬蚁先窘簿褐益哆拾妨恩闷夸球
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