半导体物理(刘恩科)--详细习题解试题.doc

半导体中的电子状态习题 1-5、某一维晶体的电子能带为 其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求： 能带宽度； 能带底和能带顶的有效质量。 题解： 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。 解：空穴是价带中未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A、荷正电：+q； B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）； C、EP=-En D、mP*=-mn*。 解： ? Ge、Si:a）Eg (Si：0K) = 1.21eV；Eg (Ge：0K) = 1.170eV； b）间接能隙结构 c）禁带宽度Eg随温度增加而减小；（2）??? GaAs：a）Eg（300K）= 1.428eV，Eg (0K) = 1.522eV； b）直接能隙结构； c）Eg负温度系数特性： dEg/dT = -3.95×10-4eV/