IC保护点路原理2答题.ppt

CONFIDENTIAL IC 保护电路 Rock May 24th, 2014 . * Analog block OVP ——Over Voltage Protection 过电压保护 OCP ——Over Current Protection 过电流保护 OLP ——Over Load Protection 过负载保护 OTP ——Over Temperature Protection 过温度保护 POR ——Power On Reset 欠压保护 这些都是电路的反馈保护机制，在电路某一项参数超出额定参数后，电路会自动切断以保护电路。 * 一 OTP 过温保护电路 随着IC芯片集成密度和功率密度的不断提高，功耗不断增大。由于 功耗增大，引起芯片温度上升，当超过极限温度时，根据半导体物理学 中本征半导体载流子随温度变化的规律，对本征半导体，在室温附近 时，温度每升高8度，本征载流子浓度增加约1倍。温度足够高时，本征载 流子激发占主导，器件失效。因此，必须对芯片设计热关断电路，特别是 在集成功率器件的功率集成电路中。当芯片超过警戒温度时，电路提供 一个热关断信号，禁止芯片工作；当芯片温度降到滞回区间外时，恢复 芯片工作。 过温保护电路的设计思路是利用二极管或三极管的温度特性来检 测芯片内部温度的变化，当温度超过设定值时，保护电路工作，将系统 关断，以防其损坏。热关断电路设计的关键是将温度信号精确的转变为 电压信号。传统的方法是用热电偶和热电感来检测温度，但是这些方法 不适合芯片的设计。因此，必须利用集成电路中各种器件的温度特性来 设计热关断电路。 * 一 OTP 过温保护电路 本征载流子（Intrinsic carrier）就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说，本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的，即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的；它们是成对产生的，所以电子和空穴的浓度始终相等。本征半导体，从物理本质上来说，也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此，未掺杂的半导体是本征半导体，但是掺有杂质的半导体在一定条件下也可能成为本征半导体（只要两种载流子的浓度相等）。对于掺有杂质的n型或p型半导体，其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供，而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。因此，在杂质全电离情况下，多数载流子浓度基本上与温度无关，但少数载流子则随着温度将指数式增大。 与温度的关系： 因为本征载流子是由本征激发所产生的，则它的产生与热激发有关，也与禁带宽度有关，所以具有以下特点：一是电子浓度=空穴浓度；二是载流子浓度随着温度的升高而指数式增大；三是与禁带宽度有指数函数关系（不同半导体的本征载流子浓度不同）。本征载流子浓度ni与温度T和禁带宽度Eg的关系为（与杂质无关）ni = (NcNv)^(1/2) exp[－Eg/(2kT)] 在室温下，Si的ni=1.45×10^10cm-3，GaAs的ni=1.79×10^10cm-3。(N阱注入3×10^12cm-3，阱外1×10^12cm-3) 由于本征载流子浓度ni随着温度的升高而指数式增大，故在足够高的温度下，对于掺杂的半导体，在较高温度下，本征载流子浓度也都将大于杂质所提供的载流子浓度——多数载流子浓度。这就是说，即使是掺杂的半导体（除非掺杂浓度异常高），都将随着温度的升高而逐渐转变为本征半导体（两种载流子浓度相等）。这种半导体本征化的作用，即将导致pn结失效，所以这实际上也就是限制所有半导体器件及其集成电路的最高工作温度的根本原因；也因此，半导体器件的最高工作温度也就由半导体的本征化温度来稳定。 * 一 OTP 过温保护电路 1 　两种典型的过热保护电路 1 　利用齐纳二极管的传统过热保护电路 如图1 所示,三极管Q2 的基极电压为: 　　我们知道,三极管Q1 的VBE 具有负温度系数, 而齐纳 二极管DZ 的V Z 具有正的温度系数。在常温下,VB2 小于三 极管Q2 的导通电压, Q2 不导通,输出电压V OUT 为高电平; 当温度升高时,V Z 增加,VBE1 减小, 使VB2 增加, 当温度升 到一定值时, Q2 导通,使输出V OU T 翻转,变为低电平。 在双极性工艺中,VBE 和V Z 的温度性能是可靠的,该 电路性能是比较高的,但在稳定电压大于7 V 时齐纳二极 管才具有正的温度系数 ,在CMOS 工艺中很难产生这么 高的电压。更重要的是该过热保护电路功耗很大,偏离了低功耗的发展趋势。 图1 　典型的传统过热保护电路 * 一 OTP 过温保护电路 1. 2 　利用PTA T