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- 2016-12-06 发布于贵州
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讨论 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称为单极型晶体管。 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 输出特性 2. 绝缘栅型场效应管 转移特性 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型MOS管 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 1.3 晶体三极管 晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电,故称之 为双极性晶体管,又称为半导体三极管,以下简称晶体管。常见晶 体管外形有: 小功率管 小功率管 中功率管 大功率管 1.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成 两个PN结,就构成晶体管。采用平面工艺制成的NPN型硅材料晶体 管的结构示意图如图所示: 多子浓度高 多子浓度很 低,且很薄 面积大 1.3.2 晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。 基本放大电路如图所示: 为输入电压信号,接入基极-发射极回路,称为输入回路。 放大后的信号在集电极-发射极回路, 称为输出回路。 由于发射极是两个回路的公共端,故 称该电路为共射放大电路。 使晶体管工作在放大状态的外部条件是: 集电结反向偏置, 发射结正向偏置。 晶体管的放大作用表
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