半导体二极管及其基本电路答题.ppt

3、折线模型 Vth:门坎电压 (硅管一般取0.5v), iD vD 二极管的正向压降随流过二极管正向电流的增加而线性增加。一般用于电源电压较小，工作电流较小的场合。 rD Vth iD v D 根据二极管的电流ID和管压降VD可以求出rD ID VD iD vD Vth iD vD 4、小信号模型 当输入变化的信号时，且信号幅度很小，二极管工作在静态工作点Q附近的小范围内, 则可以在小范围内把V-I特性曲线看成是过Q点的切线。其斜率的倒数称微变电阻rd （动态电阻） 小信号模型只用于动态分析， 方程中求解的变量是信号量。 （电压和电流瞬时值的变化量） rd D rd的计算 rd与静态工作电流有关。 3-4-2 二极管模型分析法 1、静态分析 ①图解法 VDD VD ID R ID=f（VD） VD=VDD-IDR VQ IQ R VDD VD ID ② 模型分析法 理想模型 VDD0: ID=VDD/R VD=0 VDD0: ID=0 VD=VDD 恒压降模型 VDDVF: VD=VF=0.7V ID=(VDD-0.7)/R VDDVF: VD=VDD ID=0 VF=0.7V