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* 蒙托卡罗模拟离子注入（以B为例） Boron imp DAMAGE分布 原子B和分子B注入的分布对比（能量和剂量都已校正一致） B—imp为什么形成两个尖峰呢？ 原因是沟道效应；从中也可以看出为什么浅结用BF2了。 （当然F原子会使电阻增大。） LOCOS的形成和鸟嘴现象以及氧化的机理。 SiO2 3D鸟嘴仿真，其中考虑应力的影响，采用SDE和Sprocess联合仿真。 某SOI— LDMOS的击穿（IDVD） 用内嵌的MEDICI仿的某器件的snapback曲线 e-SiGe SD沟道应力分布模拟 SiGe（Ge%=30%） MOS管的AC模拟，红的是栅极总电容Ctotal，蓝的是Cgs和Cgd，绿的是Cgb。 *
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