简明无机合成第章.pptVIP

⑷ 增强反应沉积等离子增强反应沉积是由于等离子体中正离子、电子和中性反应分子相互碰撞，可以大大降低沉积温度。硅烷和氨气反应通常约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应情况下，只需要350℃左右就可以生成氮化硅。通常要在300℃左右的底衬表面上发生的反应，采用激光束平行于衬底表面后（激光束与衬底表面的距离约1mm），结果处于室温的衬底表面上就会沉积出一层光亮的钨膜: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.李明伟等采用等离子增强热丝CVD技术，以多晶镍为催化剂热解乙炔气得到了碳纳米管阵列。 生长在多晶镍膜上的碳纳米管阵列 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.2.4 装置①气源控制部件;②沉积反应室;③沉积温控部件;④真空排气和压强控制部件等部分组成。在等离子增强型或其它能源激活型CVD装置，还需要增加激励能源控制部件。 砷化镓气相外延装置示意图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 三氯硅烷氢还原生产半导体超纯硅的工业装置示意图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.2.5 CVD合成技术的应用现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料。显然，前面所讲的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。因此，化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅳ、Ⅳ-Ⅵ族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的沉积过程精确控制。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.⑴ 沉积生成碳化物/氮化物① 高温气冷堆包覆燃料颗粒阻挡层材料是SiC。最早由Reynolds在1974年用CVD法制成。最近刘超等通过控制蒸发器加热温度和载气流量使其装置可以实现ZrCl4蒸汽的定量载带,为ZrCl4蒸汽法沉积ZrC涂层提供了设备基础。② 唐见波等以H2 、N2和CH4气体为前驱气体,通过等离子体化学气相沉积技术制备氮化碳薄膜。实验结果表明:沉积的薄膜中含有晶态的C3N4 ,碳氮原子比接近于理论值0.75 ,样品中碳氮原子多以C=N、C-N 的形式存在;样品中氮元素的含量随着反应气体中N2含量的增加而增加;放电功率的增大使薄膜的沉积速率增大Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.③ 付志强等进行了化学气相沉积法制备SiC/SiO2梯度复合涂层的热力学分析。分析结果表明:载气中加入足够的氢气对制备不含杂质的SiC/SiO2复合涂层很有必要;合适的沉积温度为1100~1200℃;最佳反应物浓度为:SiCl4摩尔分数为1%~2% ,沉积SiC 涂层时CH4与SiCl4的摩尔比为1 ,沉积SiO2涂层时水蒸气与SiCl4摩尔比为2 ,通过逐渐改变CVD气氛中的水蒸气与CH4的比例来沉积SiC/SiO2梯度过渡层。④ 段来根等在实验和理论分析的基础上,利用化学气相沉积技术在工具钢和模具钢基体表面沉积TiN薄膜,以提高模具表面强度和耐磨性。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 200