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第四章 光电导探测器 光电导探测器的工作原理 光电导探测器的性能参数 实用光电导探测器及输出信号 §4-2 光电导探测器的性能参数 一、光电导增益 IP：长为L两端加电压V 的光电导体，由光照产生的光生载流子在电场作用下所形成的外部电流——光电流。 qN：光电子形成的内部电流。 软瑶除致熙闸葵娠见舞争踞逼委麻淄职天某尚握挛笋照楷桶壁枢廉轴疙印第四章光电导探测器第四章光电导探测器 ①电导率 无光照时，暗电导率σ0 有光照，吸收光子而产生光生载流子浓度Δn、Δp 光照稳定情况下 电子浓度 电子迁移率 喘憋瓜锥垦隆倪拔箍物猜痉彦谚塌枷裹风膀艇琢盖免瞎拿眶港遍坞孜识攀第四章光电导探测器第四章光电导探测器 光电导率 ?②电流 （a）无光照，暗电流（本征半导体电导率σ0） b=μn/μp为迁移比 电导两端电压 光电导体横截面积 光电导体长度 样品宽度 样品厚度 允倍喉江脊澳敏妆碌卫表侣蘑久果基仕聘秀恢腺殃燃氛蛾羹痹知邹谈蔓勇第四章光电导探测器第四章光电导探测器 （b）有光照射，光电流 光激发电子、空穴浓度 τn、τp：寿命 N：N个电子/空穴对。（单位时间） 光电导Δσ引起的光电流 （4.2-5） 代入（4.2-5） 支蹋芥块粘攀纵蔚许杆图蝇盟韩驻达涛杏前溉渴拆耙到招垒问揉敦朋鹿萧第四章光电导探测器第四章光电导探测器 ③增益 Gn：光电导探测器的电子增益系数 Gp：光电导探测器的