三极管和场效应管练习题2..docVIP

三极管和场效应管 练习题2 一、单选题(每题1分) 1. 场效应管本质上是一个（）。 A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件 2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（）。 A. 截止B. 饱和 C. 放大D. 无法确定 3. 放大电路如图所示，已知三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（）。 A. 截止B. 饱和 C. 放大D. 无法确定 4. 某三极管的，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。 A.B.C.D. 5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。 A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS 6. （）情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。 A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号D. 高频小信号 7. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。 A. B.C.D. 8. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V，则此时三极管工作于（ ） 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大D. 无法确定 9. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止C. 饱和 D. 无法确定 10. 下面的电路符号代表（ ）管。 A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS 11. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。 A.B. C.D. 12. （）具有不同的低频小信号电路模型。 A. NPN管和PNP管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N沟道场效应管和P沟道场效应管D. 三极管和二极管 二、判断题(每题1分) 1. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。 2. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。 3. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。 4. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。 5. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。 6. 三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。 7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。 8. IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。 9. 双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 10. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。 11. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。 12. 三极管工作在放大区时，若iB为常数，则uCE增大时，iC几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。 三、填空题(每题2分) 1. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为；α约为。 2. 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。 3. 场效应管具有输入电阻很、抗干扰能力等特点。 4. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，则电极 为基极，为集电极，为发射极，为型管。 5. 场效应管是利用效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 6. 反映态时集电极电流与基极电流之比；反映态时的电流放大特性。 7. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。 8. 当温度升高时，三极管的参数β会，会，导通电压会9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用法或法。 10. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于区；场效应管工作于区 。 11. _______通路常用以确定静态工作点；通路提供了信号传输的途径。 12. 某三极管的极限参数、、。当工作电压时，工作电流IC不得超过mA；当工作电压时， IC不得超过_____ mA；当工作电流时， UCE不得超过V 。 13. 场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。 14. 双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别_______和15. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得IA=2mA，IB=0.04m A，IC