模拟电子技术基础简明教程第三版第一章.pptVIP

作业 1-7、1-8 作业 1-13、1-14 一. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例） 2. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 设uDS=0V, uGS＞0V时→栅底平行板电容器产生纵向电场 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响(设UGS(th)=2V, uGS=4V） ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 作业 1-16，1-17 二、输出特性曲线 iC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区IC=βIB 截止区 IB≈0,IC≈0 饱和区 iC不随iB变，随uCE急变，ICβIB iC=ICEO穿透电流 Rb Rc VBB VCC e c b IE IC IB 输出特性三个区域的特点: (1) 截止区: