7.高电压技术第2章_高电压下绝缘评估及试验方法3.ppt

注意： 当试品的电容量较大时，ic在试验变压器的漏抗上就会产生较大的压降，由于被试品上电压与变压器漏抗上的电压相位相反，有可能使被试品上的电压比试验变压器的输出电压还高，因此要求在被试品上直接测量电压。 电容效应（容升效应） 操作步骤 1、按照原理接线图，合理布置现场，准确接线。 2、调压器置零位，调整球隙的放电电压至115%~120%Us。在不接试品的情况下测试球隙的放电电压是否正确。 3、接上试品，合上电源，加压（升至全压所需时间不小于30s）至试验电压值后，保持1min，迅速均匀地降压至零，并切断电源。 4、试品接地放电。 试验结果的分析判断 1、一般试品根据以下情况可判断试品击穿。 1）电流表的指示突然上升。 但当试品的电容量较大或试验变压器容量不够时，电流表指针会下降。 2）进行高压侧直测时，电压表指示突然下降。 3）过电流继电器动作使接触器跳闸。 4）试品绝缘出现冒烟、闪络等现象。 试验结果的分析判断 2、当试品为有机绝缘材料时，耐压后，若发生普遍或局部发热现象，则表明绝缘不良。 3、当试品为纯瓷绝缘材料时，在排除由于外界因素引起局部放电之后仍出现，则表明绝缘不良。 球与电极之间放电 球隙放电 正接法 桥臂对地有杂散电流，在正接时，因R3、Z4值较小，故杂散电流影响较小。 反接法： 反接时，因被试品电容阻抗较大，特别是Cx较小时，杂散电流不能忽略。 除电桥本身采用屏蔽外，电桥至被试品和CN间的连线采用屏蔽线，屏蔽接在D点上，使杂散电流由电源直接供给，不影响电桥的平衡条件。 屏蔽线（专用线）的作用：电桥和CX CN的杂散电流从AB两点入地，避免测量误差。 AB两点接放电管F，可在试品被击穿时，起保护作用，防止电桥本体出现较高的电位差 六、影响tgδ测量精度的因素 1、温度的影响 一般绝缘的tgδ值均随温度的上升而增加。 一般来说，对各种被试品，不同温度下tgδ的值是不可能通过通常的换算式获得准确的换算的，应尽量争取在差不多的温度条件下测出tgδ值，并以此来作相互比较。 通常都以20℃时的作为参考标准，为此，一般要在10~30℃范围内测量。 影响tgδ的因素 2、频率的影响(交流) 在一定的频率范围内，tgδ 随 f 的增加而增加。 增加到一定程度（f0），频率转换太快，极化不完全，介质损耗将随 f 的增加而减小。 一般试验采用的电源都是50Hz，所以 f 的影响在现场中不予考虑。 3、电压的影响 一般说来，良好的绝缘在其额定电压范围内，绝缘的tgδ是几乎不变的，但如绝缘中存在气泡，分层、脱壳等，情况就不同了。 当所加试验电压尚不足以使绝缘中的气泡或气隙游离时，其tgδ与良好的绝缘无显著差别； 当所加试验电压足以使绝缘中的气泡或气隙游离或足以使绝缘产生电晕或局部放电等情况时，tgδ值将随U迅速增大。 影响tgδ的因素 测量过程中干扰及消除措施 1、电场干扰 外界电场干扰主要是干扰电源（包括试验用的高压电源和实验现场的高压带电体）通过带电设备与被试设备之间的电容耦合造成的 消除或减小电场干扰的措施： （1）加设屏障 在被试品高压部分加屏蔽罩，并将屏蔽罩与电桥的屏蔽相连接，以消除耦合电容的影响。 （2）移相电源 （3）倒相法 测量过程中干扰及消除措施 2. 磁场的干扰 当电桥靠近漏磁通比较大的设备，会受到磁场干扰。这一干扰主要是由于磁场作用于电桥检流计内的电流线圈回路引起的。 措施： 将电桥移至磁场干扰范围之外，或将桥体就地转动改变角度以找到干扰最小的方位。 测量tgδ能有效发现绝缘的下列缺陷： 受潮 贯穿性导电通道 绝缘老化劣化、绕组上积附油泥 绝缘内含气泡的电离、绝缘分层 绝缘油赃物、劣化等 测量tgδ对绝缘的下列缺陷不太灵敏： 非贯穿性局部损坏 很小部分的绝缘老化劣化 个别的绝缘弱点 --即测量tgδ对较大面积的分布性的绝缘缺陷较灵敏，对个别局部的非贯穿性的绝缘缺陷不灵敏。 测量tgδ的注意事项 1. 尽可能分部测量 一般测得的tgδ是被测绝缘各个部分的tgδ平均值，全部被测绝缘体可看成是各个部分绝缘体的并联。 2. 测量时应选取合适的温度 tgδ与温度有关，但与温度之间没有准确的换算关系，故应在差不多的温度条件下测量tgδ，并以此作比较。 3. 测量时应选取合适的试验电压 当绝缘存在气隙、分层等缺陷时，所加试验电压达到气隙的局部放电电压，绝缘的tgδ随电压升高迅速增大。所以测量tgδ所用电压最好接近被试品的正常工作电压，一般多用10KV。 测量tgδ的注意事项 4.注意消除被试品表面泄漏电流的影响 表面泄漏电流对tgδ测量结果的影响程度与被试品的电容量有关，对小电容的被试品，表面泄漏电流的影响较大。试验时，被试品表面应清洁、干燥