n阱CMO芯片制作工艺设计.docVIP

《集成电路设计实践》报告题目： n阱CMOS芯片制作工艺设计院系： 自动化与信息工程学院 电子工程系专业班级：班学生学号：学生姓名：指导教师姓名： 职称：起止时间： 2016-1-4--2015-1-18成绩：目录 一．设计要求 11、设计任务.....................................................12、特性指标要求.............................................13、结构参数参考值..........................................14、设计内容.....................................................1 二、 MOS管的器件特性参数设计计算 2 1、NMOS管参数设计与计算。 2 2、PMOS管参数设计与计算。 3 三、 工艺流程分析 41、衬底制备.....................................................42、初始氧化.....................................................43、n阱光刻......................................................44、n阱形成(磷离子注入)...............................55、氮化硅淀积................................................56、光刻有源区................................................57、场区氧化....................................................58、阈值电压调整............................................69、多晶硅淀积................................................610、光刻多晶硅..............................................611、n+区光刻...................................................612、P+区光刻...................................................613、淀积PSG...................................................714、光刻与刻蚀接触孔..................................715、蒸铝、刻铝..............................................716、光刻钝化孔..............................................7 四、 光刻工艺分析与版图形成..........................71、n阱光刻.....................................................82、有源区光刻................................................83、光刻多晶硅................................................84、n+区光刻...................................................85、p+区光刻...................................................96、光刻接触孔...............................................97、金属化内连线（刻铝）...........................9 五、 工艺实施方案 22 六、 参考文献 23 七、心得体会 五、工艺实施方案 工艺步骤 工艺名称 工艺目的 设计目标结构参数 工艺方法 工艺条件 1 衬底制备 衬底制备 电阻率20Ω·cm 晶向100 2 一次氧化外延 为形成n阱提供掩蔽膜 厚度1.24 干氧—湿氧—干氧 3 一次光刻 为磷扩散提供窗口 电子束曝光 4 一次粒子注入 注入形成n阱 离子注入 5 一次扩散 热驱入达到n阱深度 有限表面源扩散 6 二次氧化 作为氮化硅薄膜的缓冲层 膜厚625? 干氧氧化