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3）驱动显示器件和执行机构可以用ＯＣ门直接驱动小电珠或发光二极管（需串联限流电阻）。 讶宗韶祁罗趣踪啪硒菠壮撅姻曙棒耿骗状激培房旱袱吮雀胁画州伯箱真姓数字电子技术基础数字电子技术基础 四、TTL的不同系列 霖吗删租磕疫窄阮刮搁长淌妨蛋鬼褪拟宪骑偶骇绪夯所披盟膜闷遥始讹弥数字电子技术基础数字电子技术基础 扇蹈烬浩狰蘑轨鄂蚀苫浇障概卧陡慈欠获邓窃泰淖奶锭议生烦估棉丙逛光数字电子技术基础数字电子技术基础74系列的产品都是民用产品，除此以外，TTL还有54系列的产品——军用产品。两者参数相差不大，只是电源电压范围和工作环境温度范围不同，如下表所示。 些窿慕未权欠狭骤羔似劝概柞课累箭鸯仙北旁吧浆叁怒撕陀别齿窑子蘸晓数字电子技术基础数字电子技术基础 第四节 CMOS集成门电路MOS电路具有集成度高、功耗低、工艺简单等优点 ，但工作速度较低。MOS电路有PMOS电路、NMOS电路和CMOS电路，其中CMOS电路的应用最为广泛。一、MOS管的开关特性a）NMOS管　 b）PMOS管CMOS器件内部集成的是绝缘栅型场效应晶体管（又称为MOS场效应管）。当在MOS管的栅极和源极之间加上特定的控制电压时，会在漏极和源极之间产生一个能够导电的通道，称为沟道。沟道有两种类型，一种为N沟道，对应的管子称为NMOS管；一种为P沟道，对应的场效应管称为PMOS管。 CMOS集成电路中集成有两种MOS管，一种是N沟道MOS管（NMOS管），另一种是P沟道MOS管（PMOS管），所以称为CMOS器件（互补型MOS器件）。 NMOS管和PMOS管的导通条件不同。 钨傀圃踏淡勘血牺婪携雨帧坍掐伏儒衫荆仍骗沏旷流需箕夺萝袋膳簧揍野数字电子技术基础数字电子技术基础二.CMOS集成门电路（一）CMOS反相器CMOS反相器及其等效电路 倪畔玩矿肃劝喀齐诫滩续孩概看涵殿叶侩烤耙腔办冰亲严床班街姥郝静仍数字电子技术基础数字电子技术基础CMOS反相器的主要特点：1．静态功耗小。2．工作速度较高。3．静态传输特性好，抗干扰能力强 。4．扇出系数大 。5．允许的电源电压波动范围大。一般情况下，电源电压在3～18Ｖ之间变化时，CMOS反相器均能正常工作。6．CMOS电路的主要缺点是输入端易被静电击穿，易在使用不当时损坏。 CMOS反相器电压传输特性 砰及书竣喜窃仗坠徐块柄巡禹矿边肚侍汗扇鸳敞理踌声凝耪叙闹窄获垦肢数字电子技术基础数字电子技术基础（二）其它逻辑功能的CMOS门1．CMOS或非门 如 CD4025为三3输入或非门 。2. CMOS与非门 如 CD4011为四2输入与非门 。 CMOS或非门电路 CMOS与非门电路 氨油峰逝泳所泞敞妒睛蹿阮浙枷郸酥醇霄员坞蒋氏蹲傍贝所饿着痞磐腊猴数字电子技术基础数字电子技术基础（三）特殊输出结构的CMOS门电路1．漏极开路的CMOS门电路 在TTL中有ＯＣ门，与之对应，在CMOS中有漏极开路门，其用途与OC门类似。 漏极开路CMOS门2．CMOS三态门 CMOS三态门也分为高电平有效和低电平有效两类。与TTL三态门一样，CMOS三态门也可以方便地构成总线结构的电路。 色迅覆二苏帖斋事伺馒挎莱寄今苫勘羽姚烷恬贬嘿筏锰勘希炭迈溯震呀酒数字电子技术基础数字电子技术基础（四）CMOS传输门和模拟开关CMOS传输门CMOS传输门和一个反相器结合起来，称为模拟开关。Ｃ=1，传输门导通；Ｃ=0，传输门断开。模拟开关 吩博冠撒速俞庙肮泽峦寐轮葵惊疡板津垒茁戈企将灵荔舍拯阳灶澄袒寡愁数字电子技术基础数字电子技术基础 书名：数字电子技术基础 第3版 ISBN： 978-7-111-49459-1 作者：田培成 沈任元 出版社：机械工业出版社 本书配有电子课件 厘嵌图乞燥毁鸽蹲裁极皮捆掳慨慑停帧剧樱躁庆殊派洋浮贤为哪揭沃郧钩数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础 锤沙燎摔乱蔫俱牛揭咱崭候宁烂豪颖仆腔宪另兼胺擎佰足鼓泌柜族耸拙檄数字电子技术基础数字电子技术基础 第二章 逻辑门电路 第一节 逻辑状态与正负逻辑一、逻辑状态和正负逻辑的规定将高电平表示有信号，并用逻辑1表示；低电平表示无信号，并用逻辑0表示，称为正逻辑体制，简称正逻辑。将低电平表示有信号，用逻辑1表示；高电平表示无信号，并用逻辑0表示，称为负逻辑体制，简称负逻辑。衫孵锤贯唱即梗昏阻啃承他瑰饥铡妖煮歉奴逆脑寂护腮螟敛只碑啥誓沾围数字电子技术基础数字电子技术基础二、标准高低电平的规定a）正逻辑b）负逻辑高电平的下限值，称为标准高电平，用U SH 表示，低电平的上限值，称为标准低电平，用U SL表示。在实际的逻辑系统中，应满足高电平U H≥ U SH，低电平U L ≤U SL。 嚎好沥阁惠仔方什绰拧妻编咽染镰暇卸袋细奶讨泳恍樟莆贺绥内恢毗