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Si3N4作为硅芯片的保护膜 铝焊盘 钝化层 钝化结构 SiO2 /Si PSG /SiO2 /Si Si3N4 /Si Si3N4 / SiO2 / Si 可动离子 密度(/ cm2) ＞1013 4.3×1012 6.5×1010 6.6×1010 不同材料的阻钠能力 虽然Si3N4/Si结构具有最好的阻钠能力，实际上由于界面存在极大的应力与极高的界面态密度，所以都采用Si3N4/ SiO2/ Si 结构。 4.3 铝布线的优缺点 ■能长期工作 优点 ■ 同硅或多晶硅能形成欧姆接触 ■ 电阻率能满足微米和亚微米电路的要求 ■ 与 SiO2 有良好的附着性 ■ 台阶的覆盖性好 ■ 易于淀积和刻蚀 ■易于键合 缺点 ■ 在大电流密度下容易产生金属离子 电迁移现象，导致电极短路。 ■ 铝硅之间容易产生“铝钉”，深度可 达1μm，所以对于浅结工艺很容易造 成PN结短路。 5.1 溅射 根据采用的电源种类，等离子体溅射有两种方式：直流阴极溅射和射频溅射。 直流阴极溅射是荷能粒子（一般采用正离子）轰击处在阴极的靶材，把靶材上的原子溅射到阳极的硅片上。 5. 等离子体加工技术小结 如果靶材是绝缘介质或导电靶上受绝缘介质污染时，相当于在等离子体与阴极之间有一个电容器，采用直流电源实现溅射存在困难，所以对于绝缘靶的溅射一般采用射频（RF）电源，但是它必须要在硅片与靶之间加一个直流偏压。 ～ 射频溅射 直流溅射 + E C 靶 载片台 5.2 PECVD PECVD是让两种反应气体在衬底表面发生化学反应，如：PECVD淀积Si3N4 。 3SiH4 ＋ 4NH3 → Si3N4 ＋ 12H2 它的化学反应同LPCVD完全一样，差别就是反应的温度不同。 ～ 射频溅射 E C 溅射同PECVD的差别 RF电源 真空泵 反应气体 靶 载片台 PECVD 溅射通常使用Ar气，荷能正离子把靶材上的原子溅射到硅片上，而PECVD是两种反应气体在等离子体中分解为具有高活性的反应粒子，这些活性反应粒子在衬底表面发生化学反应生成薄膜。 5.3 等离子体刻蚀 物理方法干法刻蚀是利用辉光放电将惰性气体，例如氩气（Ar），解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，轰击被刻蚀物的表面，并将被刻蚀物材料的原子击出。整个过程完全是物理上的能量转移，所以称为物理性刻蚀。 物理干法刻蚀 直流溅射 + 靶 载片台 物理方法干法刻蚀同溅射的差别 RF 阴极 阳极（或离子源） Ar 抽真空 RIE是反应离子刻蚀，它依靠低压刻蚀气体在电场加速作用下辉光放电而生成带电离子、分子、电子以及化学活性很强的原子团，这些原子团扩散到被刻蚀材料表面，与被刻蚀材料表面原子发生化学反应，形成挥发性的反应产物并随气流被真空泵抽走，从而实现刻蚀。而PECVD是两种反应气体在等离子体中分解为具有高活性的反应粒子，这些活性反应粒子在衬底表面发生化学反应生成薄膜。衬底需要加热。 RIE同PECVD的差别 生长SiO2 腐蚀SiO2 淀积多晶硅 光刻 SiO2 光刻多晶硅 Poly-Si 6. MEMS器件制造 要选择好合适的牺牲层！ 管芯 （Chip） 外壳 （package） 器件 （device） ＋ packaging 封装工艺 封装就是给管芯（chip）与线路板（PCB）之间提供信号互连、电源分配、机械支撑、环境保护和导热通道。 7. 封装工艺 关于考试 1. 闭卷考试； 2. 考试时间（等通知） 3. 考试地点（等通知） 4. 需要携带计算器，画图时可用直尺也可不用。 * 公式推导采用了《微电子制造科学原理与工程技术》一书，P.60-73，向采兰的讲义公式推导太简单，庄同曾的书印刷有错。 * 平面工艺的诞生是同发明光刻工艺密切相关的 * 投影曝光的优点：掩膜版不同硅片接触，所以掩膜版不会损坏；由于是缩小曝光，所以可以制作更细的线条。缺点是设备复杂、昂贵。 * PECVD生长的SiO2常在MEMS器件制作中作为牺牲层 * * 1. 高温氧化工艺 1.1 硅的热氧化 硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧气或水进行反应，生成SiO2 。 硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三种。 如果氧化前已存在厚度为 t0 的氧化层，则（3-11）微分方程的解为：（tOX ：是总的氧化层厚度） （4- 12） 式中 在各种工艺条件下，参数A和B都是已知的，t 是氧化时间。τ 是一个时间参数，单位是小时（h）。 （3- 13） 1.2 硅热氧化的厚度