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聚合物太阳电池制备技术谭占鳌华北电力大学Contact: Office:主楼B637; Tel: 010 E-mail: tanzhanao@ncepu.edu.cn内容提要1.聚合物太阳电池实验室制备技术2.聚合物太阳电池工业制备技术聚合物太阳电池实验室制备技术器件制备基本流程清洗、表面处理电极修饰层制备ITO刻蚀透明导电基底活性层制备电极制备封装ITO刻蚀刻蚀：就是通过物理和/或化学方法将下层材料中没有被上层掩蔽膜材料掩蔽的部分去掉， 从而在下层材料上获得与掩蔽膜图形完全对应的图形。ITO GlassEtch ITO layer湿法刻蚀ITOITO (In2O3+SnO2)+HCl?InCl3+SnCl4+H2O1、湿法刻蚀:利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。2、三个步骤：1）反应物扩散到被刻蚀的材料表面；2）反应物与被刻蚀薄膜反应；3）反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中， 并随溶液被排出。有关刻蚀的详细内容参考《微纳米加工技术及其应用》，崔铮 著基片清洗利用丙酮浸泡刻蚀好的ITO玻璃，并进行表面搓洗，以达到去除ITO表面残留的胶。将清洗完毕的基片超声清洗，依次为：洗涤剂溶液（去除油脂）自来水（去除洗涤剂）去离子水（去除无机杂质）丙酮（去除油脂和有机物）异丙醇（去除有机杂质）每种溶液超声清洗2次，每次15~20分钟。表面处理将洗好的基片用氮气吹干，为了完全除掉残余的有机溶剂，需将样品放入烘箱中，在150℃下烘烤5min。然后，将样品放入密封箱中进行紫外臭氧处理（UVO）10-20分钟，此工艺可以进一步除去表面附着的有机物，同时使得ITO玻璃的功函数、表面能等参数得到深度优化电极修饰层制备聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸在台式匀胶机上以2000 rpm的旋转速度将PEDOT:PSS旋涂于ITO上，，膜厚约为30 nm。然后，在烘箱中150℃条件下烘烤15分钟。旋涂阳极修饰层的目的是填充ITO基片的表面缺陷，避免因局部漏电流过大而造成器件短路，还可以起到提高阳极功函的作用。活性层制备活性层给/受体共混溶液的配置和旋转涂膜均在惰性气氛保护的手套箱中进行。将配置好的溶液在匀胶机上以一定的转速旋转涂膜，完成后，有些材料需要后处理，如溶剂退火，热退火等。金属电极制备真空系统蒸发系统基片撑架挡板监控系统通常情况下，用金属钙或者低公函的金属作为阴极修饰层，Al作为阴极。蒸镀活泼金属时真空室的压强为5×10-5帕，蒸镀电流为25～30 安培，蒸镀钙的厚度为10-20nm，铝的厚度100nm左右。2.聚合物太阳电池工业制备技术聚合物太阳电池演示器件各子电池间的连接刮刀涂布（Doctor blading ）刮刀涂布是在距离基片一定距离处固定一刮刀来进行涂布，涂膜的典型厚度是10-500微米。涂料溶液被放置在刀片的前面，然后沿直线移动刀片，在刀片后形成一层湿的膜。（a）用于刮刀涂布的 Erichsen Coatmaster 509 MC-I仪器和（b）刮刀涂布生产的MEH-PPV涂布的湿膜的厚度通常是间隙宽度的一半，但是可能因基片的表面能、涂料溶液的表面张力和涂料溶液的粘度而发生变化。膜厚度取决于刀片后沿与湿膜之间的半月形结构，还与剪力场有关（和刀片的移动速度成比例）。刮刀涂布得到的膜厚的经验公式为式中 g——刮刀与基片之间的间距；c——墨水中固体材料的浓度（单位g?cm-3）；ρ——最终得到的膜材料的密度（单位g?cm-3）。相比旋转涂布，刮刀涂布技术是一项相当节约的技术，溶液的损失可以降低到小于5%。刮刀涂布湿膜干燥成膜的速度相对较慢，成膜过程中材料会有聚集和结晶的倾向。刮刀涂布的缺点是一般成膜厚度在微米量级，而聚合物太阳电池活性层厚度只有100～200 nm，所以，这项技术应用于聚合物太阳电池有一定困难。丝网印刷（Screen printing ）丝网印刷术的发展要追溯到20世纪初。这是一种非常有用的印刷技术，能够在印刷层上实现完全二维图形。它还是一项经济和节省的技术，在印刷的过程中，理论上不会浪费涂布溶液。它要求涂布溶液具有高的粘度和低的挥发性，得到的膜的厚度一般也是微米量级。左图所示为丝网印刷过程，包括一个张开用胶水粘在框架上的丝网编织材料（如合成纤维或钢丝网）。在丝网上按照需要涂上一层防涂布溶剂的乳胶，这部分区域将不会涂上涂布液。要印制图案的区域是始终保持开放的（没有乳胶）。丝网被涂满涂布溶液，被带入与其接触的基底，刮刀放置于丝网的上方与基底接触，然后通过线性牵引式刮刀通过丝网的上方，涂布溶液就会被迫进入基底上开放的区域，从而得到所需图案。丝网印刷得到的湿膜厚度可以通过丝网的理论体积Vscreen经验公式得到。简言之，Vscreen就是丝线和乳胶厚度之间的体积，