半导体光电子讲义.pptVIP

计算题 在没有倍增(M=1)之下，一个硅制APD对于830nm有70%的量子效率，这个APD被偏压在倍增因素为100，假如入射光功率为10nW,光电流为多少？ (已知普朗克常数h=6.626×10-34J·s ,电子电量e=1.6×10-19C) 在M=1,以量子效率表示的响应率为 假如Iph0是一次光电流（没有经过倍增），P0是入射光，那么由定义R= Iph0/ P0,所以 Iph0=R P0=（0.75 A W-1）（20×10-9W）=1.5×10-8A 在APD的光电流Iph是Iph0乘以M， Iph=MIph0=（12）（1.5×10-8A）=1.87×10-7 或者180nA 在M=12的响应率为 R′=Iph/P0=MR=(12) ×(0.75)=9.0 A W-1 计算题 半导体材料GaAs 的带隙能量在温度300K为1.42eV,已知其带隙能量随时间的变化率dEg/dT=-4.5*10-4 eV·K-1，求当温度在300K附近变化10K，用GaAs材料制作的LED的输出光波长的变化量。(已知普朗克常数h=6.626×10-34J·s ,电子电量e=1.6×10-19C) 计算题 三元合金In1-xGaxAsyP1-y，成长在InP晶体基板上是合适的商用半导体材料，可用来作为红外线波长LED及激光二极管的应用。这组件需要InGaAsP层晶格匹配于InP晶体基板以避免晶体缺陷出现在InGaAsP层，这将需要y≈2.2x，三元合金能隙Eg以eV为单位，由经验关系可表示为，Eg≈1.35 - 0.72y + 0.12y2 ，且0≤x≤0.47,计算发射峰值在1.3μm波长下，InGaAsP三元合金的组成为何？ 解：首先，我们需要得到对感兴趣波长的能隙Eg，在发射峰值下，光子能量为 hc/λ=Eg+kBT，则表为电子伏特， 而在λ=1.3×l0-6 m，取T=300 K， 则InGaAsP必有y满足 0.928 =1.35 – 0.72y+0.12 y 2 在计算器上解这二次方程得y = 0.66，则x = 0.66/2.2=0.3，最后三元合金为In0.7Ga0.3 As0.66 P0.34。 计算题 计算题 辐射波长为670nm（红光）的商用激光二极管有如下特性：25℃的阈值电流为76mA，I=80mA的输出功率为2mW，通过二极管的电压为2.3V，若二极管电流增加至82mA，光输出功率则增加至3mW，试计算激光二极管的外部量子效率，外部微分量子效率，外部功率效率 名词解释 替位式杂质和间隙式杂质 A－间隙式杂质原子：原子半径比较小 B－替位式杂质原子：原子的大小与被 取代的晶体原子大小比较相近 简答题 本征半导体的特点： 在0K时,呈绝缘体特征； 在TK时，受热激发（本征激发）；产生电子空穴对； 在TK时，有两种载流子可以参与导电，即自由电子和空穴。 简答题 举例说明半导体材料的分类 按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 简答题 简要阐述半导体中电子扩散与漂移的区别. 扩散运动是由载流子的浓度差引起的，浓度高处的载流子总是要向浓度低处扩散运动。漂移：假设给半导体一个电场，此场产生力作用在自由电子及空穴而产生漂移。电子和空穴在电场E的作用下，要发生漂移运动。电子逆场强方向运动，空穴则顺场强方向而运动。 扩散(diffusion)：由浓度改变(浓度梯度)所引起 漂移(Drift)：由电场引起 简答题 简要阐述光电效应(包括外光电效应和内光电效应). 光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化，也就是光能量转换成电能。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应（Photoelectric effect）。 　　光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。 简答题 对照下图简要绝缘体、半导体、导体之间的区别。 绝缘体、半导体、导体之间的区别 绝缘体：价电子与邻近原子形成强键，很难打破，没有电子参与导电。能带图上表现为大的禁带宽度，价带内的能级被填满，导带空着，热能或外场不能把价带顶的电子激发到导带。Eg≥5eV 半导体：邻近原子形成的键结合强度适中，热振动会使一些键破裂，产生电子和空穴。能带图上表现为禁带宽度较小，价带内的能级被填满，一部分电子能够从价带跃迁到导带，在价带中留下空穴。外加电场，导带电子和价带空穴都将获得