西安交通大学CAD实验报告.docVIP

模拟电路全定制设计实验报告 实验1—实验10 这一部分的实验是画出buffer的版图并进行DRC、LVS以及RCX，最后进行后仿真的过程。 Buffer的电路图及版图如下： Buffer_text的电路图如下： 进行后仿真后的结果如下： 对不带寄生参数的原理图进行仿真： 对带寄生参数的原理图进行仿真： 实验11 本实验是通过电路对二极管的I-V特性进行仿真测试。 测试电路图如下： 仿真结果如下： 实验12 本实验目的是仿真测试BJT和MOS晶体管的I-V特性。 测试BJT管的电路图如下： 三极管的输入特性曲线如图： 三极管的输出特性曲线如图： 测试MOS管的电路图如下： MOS管的输出特性曲线： MOS管的输入特性曲线： MOS管的参数观察如下： 实验13 本实验是对MOS管栅源电容，体效应以及总电容的测试。 栅源电容测量电路如图所示： 栅源电容随栅源电压的变化曲线： 体效应及总电容的测试电路如下： 不同VGS下的mos管的输入特性曲线： MOS管的总电容随栅电压变化的曲线： 实验14 本实验主要是对MOS晶体管共源级放大器进行仿真测试 （1）电阻负载的共源放大器电路如下： 直流仿真结果： 参数化扫描结果： MOS管的DC分析时的参数： AC仿真结果如图所示： TRAN仿