场效应晶体管-MOSFET讲义.ppt

纵向电场对沟道迁移率和沟道电子速度的影响 纵向电场对沟道迁移率的影响 光学声子散射引起的两次碰撞之间平均自由时间减小的结果 简单模型和考虑载流子速度饱和模型计算的电流电压曲线 纵向电场对电流的影响 相当于沟道长度变长 饱和电压随沟道长度的变化 饱和电压随沟道长度的减小而减小 饱和电流随沟道长度的变化关系 半导体器件原理 南京大学 ?电子迁移率： ?高电场作用下增强了表面粗糙散射的作用，使迁移率下降更快。 ?对一定掺杂，由于库伦（杂质）散射的作用，存在一有效电场，其下的迁移率低于通用值。 ?在高掺杂或低的栅压条件下，库伦散射的作用为主，但当反型层电荷浓度较高时由于屏蔽作用会使该作用减弱。 ?低温下，低电场时库伦散射为主，高电场时表面散射为主。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 ?空穴迁移率： 相关串联电阻 简单长沟模型、考虑速度饱和的模型以及考虑串联电阻的电流电压曲线。 饱和电流与饱和电压的定义 半导体器件原理 南京大学 4. 亚阈值特性：数字逻辑和存储电路中（P342，8.3） 在有几十万甚至上百万个晶体管的集成电路中，关态电流可以造成可观的功耗，并引起温度升高。 1/n 表示VGS-VT中影响源沟道势垒的部分所占的比例。 ΔVch(y=0)沟道源端处相对于源极的沟道电压。 半导体器件原理 南京大学 线性坐标 半对数坐标 半导体器件原理 南京大学 数字