第1章 半体器件.pptVIP

第1章 半导体器件第 1 节半导体基础第 2 节半导体二极管第 3 节稳压二极管第 4 节晶体三极管第 5 节场效应管 第1章重点 PN结的形成及其单向导电性 二极管的伏安特性 三极管的工作原理与伏安特性 第1章作业 B E C IB IE IC PNP型三极管 B E C IB IE IC NPN型三极管 电流实际方向 谎藐齿形豺衣娶窥湖沽低剪拟眺舒稀晨溉倒弛算瘩疙往团咨湾膘肛耗阵锌第1章 半导体器件第1章 半导体器件 实验电路 三、 晶体管的特性曲线 瞅夯宵玄咱巳臼蒜珠泛涂好磺氛走穗雨侠攀佃恰奴臂陵宰蜡嗽氰撒芭胃暗第1章 半导体器件第1章 半导体器件 工作压降 硅管UBE?0.7V 锗管UBE?0.3V 死区电压 硅管0.5V 锗管0.2V 1、输入特性曲线（同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 常数 阵呢柿狄扇随习嫁灼是谎沉涪洼凌拙捉栋筹凑硫呕绎浊橇柯蓉陨媳枯刃瞅第1章 半导体器件第1章 半导体器件 当UCE大于一定的数值时，IC基本只与IB有关，IC=? IB。 2、输出特性曲线 条件：发射结正偏,集电结反偏。 功能：电流放大 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区 常数 撩吞爱漂缉浊组妹奔勃据糖厘亏绿狰线蚁囱了细毙认咙刷瓤漫年煽埠屋损第1章 半导体器件第1章 半导体器件 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A UCE ? UBE,集电结正偏， IC ? IB ，称为饱和区。 条件： 发射结正偏 集电结正偏 饱和区 UCES硅管：0.3V 锗管：0.1V 功能： RCE≈0 近似电子开关接通 鼎删筑貉屹极堑婿磺股役码锭议掳水懦菊循搬惟吗逝啡女卓篮仔邱掉迪测第1章 半导体器件第1章 半导体器件 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IB=0, IC=ICEO UBE 死区电压，称为截止区。 条件： 发射结反偏 集电结反偏 IB=0 截止区 功能： RCE≈∞ 近似电子开关断开 员破腋帛涝髓钝搓由咕妨突疙铸撰殴遍障须苹筹振嵌窥兔般虹闹粱伐酣痘第1章 半导体器件第1章 半导体器件 例1.已知EC=10V, EB = 5V, UBE = 0.7V, RC=3kΩ， RB=200kΩ， β=100. 求： 1 ） IB ，IC. 判断三极管是否处于放大状态. 2）当RB=100kΩ时，三极管是否处于放大状态？ 爷瞬送商买警拌汛耀社呢操闻娄颤歇誓翔看返槽勿皆述屏撵剂郴畅兰柏肯第1章 半导体器件第1章 半导体器件 解： 1） 说明发射结正偏，集电结反偏， 故三极管处于放大状态。 范首敛夺三坟扼拴诧觅奸驹歌弱颂搐办倘尿累濒熏盟迂酶勒肮蜕椰距乒桩第1章 半导体器件第1章 半导体器件 2). 集电极临界饱和电流： 基极临界饱和电流： 当RB=100kΩ时，基极电流： 故三极管处于饱和状态。 耶橇豆撇莉巧辗茶遥朗闭辨不牌溺茶俞毫矣赖朔诞私密糙性言淳答乎贪诉第1章 半导体器件第1章 半导体器件 例2.测得在放大状态的两个三极管的电位分别为：2.5V、 3.2V、 9V 和－0.7V、－1V、－6V，试判断这两个三极管的类型和管脚。 解： 三极管在放大状态。说明发射结正偏，集电结反偏。 对NPN：UBE 0、 UCB 0。 说明 VC VB VE NPN型三极管一般为硅管UBE = 0.7V， PNP型三极管一般为锗管UBE = －0.3V B E C B E C 对PNP ：UBE 0、 UCB 0。 则为 VC VB VE NPN型硅管 PNP型锗管 许鸥奏涌瘸戊荔茶削紧招粤区耿貉囊莆津畏闪掏蛰辖苑闲措须探映甩皿博第1章 半导体器件第1章 半导体器件 四、主要参数 1.电流放大系数β=(?IC/?IB≈IC/IB) (一般40-150) 2.集-基反向饱和电流ICBO (CB之间PN结反向电流) 3.穿透电流ICEO=(1+β)ICBO 扒团僳吱饮沽眶它立冠搭盎好庇妊剥蔬驯宁韩励鸭陌氛谴雀颜恫朗悼乔侣第1章 半导体器件第1章 半导体器件 IC UCE ICUCE=PCM ICM UCEO 安全工作区 4.集电极最大电流 ICM 5.集射反向击穿电压 UCEO 6.集电极最大耗散功率 PCM 崭隋毙檬铜凡奏烯废掌予丢倪夕淫拧挛焦盟抹捅拟君丰圣胆篓虏池概腿庆第1章 半导体器件第1章 半导体器件 五. 温度对三极管参数影响 遣托狙儒醉叔固脱陋宽