提高习题 模拟集成电路.docVIP

模拟集成电路 1．电路如图1a所示，用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。设β1，VCC= –VEE=10V，VBE=0.6V。求电流Io的值。若ro(rce)=100k(。与图b电路比较，该电路有何优点？(a)(b) 图1 2．电路如图2所示，设T1、T2的特性完全相同，且rce＞＞ Re2，re≈＜＜ R，求电流源的输出电阻。图2 3．电路如图3所示，NMOS管的参数为：VT=1V，Kn = 50(A/V2，(n =0。PMOS管的参数为：VT =–1V，KP = 25(A/V2，( = 0,设全部管子均运行于饱和区,试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。 图3 4．图4是由P沟道MOSFET管T2，T3组成镜像电流源作为有源负载，N沟道MOSFET管T1构成共源放大电路。当rds1 = rds2 = 2M(，VT1=1V，导电系数K =100 (A/V2，IREF =100 (A，求Av。图45．在图5所示的射极耦合差分式放大电路中，+VCC＝＋10V，－VEE＝－10V，Io＝1mA，ro＝25kΩ（电路中未画出），Rc1＝Rc2＝10kΩ，BJT的β＝200，VBE＝0.7V；（1）当vi1＝vi2＝0时，求IC、VE，VCE1和VCE2；（2）当vi1＝－vi2＝＋时，求双端输出时的Avd，和单端输出的Avd1，Avc1和KCMR1的值。 图5 6．电路如图6所示，Re1＝Re2＝100Ω，BJT的β＝100，VBE＝0.6V，电流源动态输出电阻ro=100 kΩ，求：（1）当vi1＝0.01V、vi2＝－0.01V时，求输出电压vo＝vo1－vo2的值；（2）当c1、c2间接入负载电阻RL＝5.6k(时，求的值；（3）单端输出且RL＝∞时，vo2＝？求Avd2、Avc2和KCMR2的值。（4）电路的差模输入电阻Rid、共模输入电阻Ric和不接RL时，单端输出的输出电阻Ro2。 图6 7．电路如图7所示，设BJT的β1＝β2＝30，β3＝β4＝100，VBE1＝VBE2＝0.6V，VBE3＝VBE4＝0.7V。试计算双端输入、单端输出时的Rid、Avd1、Avc1及KCMR1的值。 图7 8．电路如图8所示，已知BJT的β1＝β2＝β3＝50，rce＝200kΩ，VBE＝0.7V，试求单端输出的差模电压增益Avd2、共模抑制比KCMR2、差模输入电阻Rid和输出电阻Ro。 图8 9．电路如图9所示，T1～T4特性相同，设β＝107，rbb＝200Ω，VBE＝0.7V，rce2＝rce4＝167k(，T5的rce5＝100k(，Re5＝100Ω，Re6＝51Ω，R＝4.7kΩ，VCC＝＋6V，－VEE＝－6V。（1）计算电路的偏置电流；（2）求c2端输出时的差模电压增益Avd2，共模电压增益Avc2和共模抑制比KCMR；（3）求差模输入电阻Rid，从c2看入的输出电阻Ro。提示： 图9 10．CMOS源极耦合差分式放大电路如图10所示，电路参数为+VDD＝10V，－VSS＝－10V，Io＝0.1mA，PMOSFET T3、T4的KP＝80 μA/V2，λ＝0.015V－1，VT＝－1V。NMOSFET T1、T2的Kn＝100 μA/V2，λ＝0.01V－1，VT＝1V。确定差模电压增益Avd2＝？ 图10 11．电路如图11所示，电路参数如图所示，已知JFET的IDSS＝4mA，VP＝－2V，T1、T2的gm＝1.41ms电流源电路T3的gm3＝2mS，电流源的动态电阻RAB＝2110kΩ。（1）求电路Avd2、Avc2（从d2输出时和KCMR2）；（2）当vi1＝50mV，vi2＝10mV时，求vo2＝？ 图11 12．电路如图12所示，电路中JFET T1、T2的gm＝1.41ms，λ1＝0.01V－1，BJT的rce4＝100 k(电流源电流Io＝1mA，动态电阻ro＝2000kΩ（图中未画出）；RL＝40kΩ，当vid＝40mV，求输出电压vo2、共模电压增益Avc2和共模抑制比KCMR2。 图12 13．在射极耦合差分式放大电路中，为什么在差分对管的射极电路里各接入的射极电阻Re时，可以扩大传输特性的线性工作范围？它是以什么代价来换取的？ 14．图14表示一BJT集成运放电路。(1) 试判断两管T1和T2的两个基极，哪个为同相端，哪个为反相端？(2) 电路共有几级放大？各级分别是什么组态的放大电路？它们各有什么特点？ 图14 15．失调电流补偿电路如图15所示。当IBN＝I1＋IF＝100nA，IBP＝80nA，使输出误差电压Vor＝0V时，求平衡电阻R2的值是多少？ 图15 16